基板处理装置和基板处理方法

专利号：CN202211650253.4

公布日：2023-10-27

申请人：圆益IPS股份有限公司

用于填充间隙的方法和设备

专利号：CN201780044429.2

公布日：2023-10-27

申请人：ASMIP控股有限公司

半导体器件及其形成方法

专利号：CN201910156241.8

公布日：2023-10-27

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

具有非化学计量组成的化合物用密封件及其制造方法

专利号：CN202280016616.0

公布日：2023-10-24

申请人：国立大学法人东京大学;株式会社大赛璐

基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质

专利号：CN201980018925.X

公布日：2023-10-24

申请人：株式会社国际电气

绝缘膜的成膜方法、基板处理装置和基板处理系统

专利号：CN201880057445.X

公布日：2023-10-24

申请人：东京毅力科创株式会社

半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和程序

专利号：CN202180094752.7

公布日：2023-10-20

申请人：株式会社国际电气

绝缘膜的成膜方法、绝缘膜的成膜装置及基板处理系统

专利号：CN201880025732.2

公布日：2023-10-20

申请人：东京毅力科创株式会社

半导体器件的制备方法及半导体器件

专利号：CN202311162797.0

公布日：2023-10-17

申请人：粤芯半导体技术股份有限公司

基板处理方法和基板处理装置

专利号：CN202310319334.4

公布日：2023-10-17

申请人：东京毅力科创株式会社

用于蚀刻半导体结构的含碘化合物

专利号：CN202311017020.5

公布日：2023-10-13

申请人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

用于填充间隙的方法和设备

专利号：CN202310882990.5

公布日：2023-10-13

申请人：ASM IP控股有限公司

具有薄膜的基板以及半导体基板

专利号：CN202280015569.8

公布日：2023-10-10

申请人：日产化学株式会社

具有翅片式支撑柱结构的三维存储器器件及其形成方法

专利号：CN202280016603.3

公布日：2023-10-10

申请人：桑迪士克科技有限责任公司

氧化物薄膜初始蚀刻率的优化控制方法及系统

专利号：CN202110218738.5

公布日：2023-10-10

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司