一种双向瞬态电压抑制器及其制作方法

专利号：CN201811511229.6

公布日：2019-05-17

申请人：泉州臻美智能科技有限公司

一种低触发电压硅控整流器及制备方法

专利号：CN201811512892.8

公布日：2019-05-17

申请人：泉州臻美智能科技有限公司

功率半导体器件及其制备方法

专利号：CN201811517976.0

公布日：2019-05-17

申请人：泉州臻美智能科技有限公司

一种HEMT外延结构及其制备方法

专利号：CN201811526199.6

公布日：2019-05-17

申请人：华灿光电（浙江）有限公司

n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管

专利号：CN201910074808.7

公布日：2019-05-17

申请人：西安交通大学

沟槽超级结功率MOSFET的端子设计

专利号：CN201811338270.8

公布日：2019-05-17

申请人：恩智浦美国有限公司

一种三极管及其制作方法

专利号：CN201811517969.0

公布日：2019-05-17

申请人：泉州臻美智能科技有限公司

半导体结构

专利号：CN201811036916.7

公布日：2019-05-17

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

一种具有内嵌异质结二极管自保护的碳化硅槽型场氧功率MOS器件

专利号：CN201910126536.0

公布日：2019-05-17

申请人：重庆大学;安俊杰

一种功率半导体器件制造方法及功率半导体器件

专利号：CN201910157115.4

公布日：2019-05-17

申请人：重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司

用于电子封装件的封装盖和制造方法

专利号：CN201811295750.0

公布日：2019-05-17

申请人：意法半导体（格勒诺布尔2）公司

一种多层背电极、薄膜太阳能电池及其制备方法

专利号：CN201811624601.4

公布日：2019-05-17

申请人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司

一种碲化镉太阳电池背接触结构

专利号：CN201910119811.6

公布日：2019-05-17

申请人：南昌大学

一种能够缩减吸收区厚度的二类超晶格光探测器

专利号：CN201910039012.8

公布日：2019-05-17

申请人：浙江焜腾红外科技有限公司

一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器

专利号：CN201910039014.7

公布日：2019-05-17

申请人：浙江焜腾红外科技有限公司