[发明专利]一种具有内嵌异质结二极管自保护的碳化硅槽型场氧功率MOS器件在审
| 申请号： | 201910126536.0 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN109768090A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 胡盛东;安俊杰 | 申请（专利权）人： | 重庆大学;安俊杰 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有内嵌异质结二极管自保护的碳化硅槽型场氧功率MOS器件，一方面在常规的槽型场氧器件基础上采用异质结肖特基二极管结构，即多晶硅与碳化硅直接接触，在降低器件制造成本的同时，降低JFET区域的电阻从而减小器件的导通损耗，消除由于肖特基金属退火温度差引起的肖特基势垒不可控的可靠性问题，从而达到降低具有二极管结构的碳化硅槽型场氧器件的工艺制造难度。另一方面，在槽型结构底部采用P型保护层来有效降低栅极氧化层的电场强度，增加器件的可靠性，缓解MOS器件击穿电压与导通电阻之间的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 槽型 场氧 异质结二极管 功率MOS器件 自保护 内嵌 肖特基二极管结构 退火 二极管结构 可靠性问题 肖特基势垒 栅极氧化层 槽型结构 导通电阻 导通损耗 工艺制造 击穿电压 降低器件 制造成本 保护层 常规的 多晶硅 温度差 肖特基 异质结 电阻 减小 金属 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种具有内嵌异质结二极管自保护的碳化硅槽型场氧功率MOS器件，所述MOS器件从下往上依次包括漏极金属(11)、N型衬底层(1)、N型漂移区(2)、N型载流子扩散区(3)、P型沟道层(4)、源极金属(10)，其特征在于，所述MOS器件还设置有P保护层(9)、N型源区(5)、源极多晶硅(8)、所述槽型栅电极采用分裂栅极结构，所述P保护层(9)半包围槽型栅电极以及源极多晶硅(8)。
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- 2015-11-05 - 2019-11-01 - H01L29/78
- 一种半导体结构的制造方法，包括：形成包括周边区和核心区的衬底、凸出于周边区衬底的第一鳍部和凸出于核心区衬底的第二鳍部；在周边区形成第一伪栅结构，包括第一伪栅氧化层和第一伪栅电极层，在核心区形成第二伪栅结构，包括第二伪栅氧化层和第二伪栅电极层；去除第一伪栅结构和第二伪栅结构；在第一鳍部表面形成栅氧化层；在第一鳍部表面形成第一栅极结构，在第二鳍部表面形成第二栅极结构。本发明在形成第一栅极结构之前，先去除第一伪栅氧化层，然后形成第一栅氧化层，所述第一栅氧化层具有良好的膜层质量，从而提高了周边区器件的第一栅极结构的质量，进而使形成的半导体器件的电学性能得到提高。
- 高压半导体装置及其制造方法-201510685837.9
- 林志威;庄璧光;吴昭纬 - 世界先进积体电路股份有限公司
- 2015-10-21 - 2019-11-01 - H01L29/78
- 本申请提供一种高压半导体装置及其制造方法，此装置包括一半导体基底，其具有一第一导电型的一井区及位于其内的一隔离结构，其中于隔离结构两侧分别定义出第一及第二区。第一及第二栅极结构分别设置于第一及第二区上。具有不同于第一导电型的一第二导电型的第一及第二注入区分别位于第一及第二区内，且邻近于隔离结构。一反注入区位于隔离结构下方的井区内，且横向延伸于第一及第二注入区下方。反注入区具有第一导电型，且具有一掺杂浓度大于井区的一掺杂浓度。本申请能够利用反注入区来提升相邻的高压半导体装置之间的隔离能力，进而藉由缩短高压半导体装置之间的距离来缩小装置尺寸或晶片面积。
- 鳍式场效应晶体管的形成方法-201510387733.X
- 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2015-07-02 - 2019-11-01 - H01L29/78
- 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供具有P型区域和N型区域的半导体衬底，P型区域的半导体衬底表面有第一鳍部和横跨第一鳍部的第一栅极结构，N型区域的半导体衬底表面有第二鳍部和横跨第二鳍部的第二栅极结构；对第一鳍部进行第一轻掺杂注入，形成第一轻掺杂区；对第二鳍部进行第二轻掺杂注入，形成第二轻掺杂区；在第一栅极结构两侧表面形成第一侧墙；在第一鳍部表面形成紧邻第一侧墙侧壁的第一源漏区；形成第一源漏区后，在第二栅极结构两侧表面形成第二侧墙，第二侧墙比第一侧墙薄；在第二鳍部表面形成紧邻第二侧墙侧壁的第二源漏区；对第二轻掺杂区进行修复处理。鳍式场效应晶体管的形成方法提高了鳍式场效应晶体管的性能。
- 具有不对称结构的晶体管的形成方法-201510926288.X
- 张海洋 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 2015-12-11 - 2019-11-01 - H01L29/78
- 本发明提供了一种具有不对称结构的晶体管的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上具有第一半导体层和位于所述第一半导体层上的第二半导体层；形成覆盖部分所述第二半导体层的第一掩膜结构，在所述第一掩膜结构的第一侧形成第二掩膜结构；对所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构暴露出的第二半导体层进行刻蚀，直至暴露出所述第一半导体层的表面，剩余的第二半导体层构成衬垫层；在所述第一掩膜结构的与所述第一侧相对的第二侧形成侧墙结构；去除所述第二掩膜结构，在所述第一掩膜结构第一侧的衬垫层上形成漏极接触结构，在所述第一掩膜结构第二侧的第一半导体层上形成源极接触结构。本发明形成的具有不对称结构的晶体管的漏电流小。
- 半导体装置-201510822008.0
- 林志鸿;李家豪;廖志成 - 世界先进积体电路股份有限公司
- 2015-11-24 - 2019-11-01 - H01L29/78
- 本发明是关于一种半导体装置。半导体装置包括半导体衬底，以及位于半导体衬底中的第一阱以及第二阱。通道区位于第一阱以及第二阱之间且邻近半导体衬底的上表面。第一隔离区以及第二隔离区分别位于第一阱以及第二阱上。栅极介电层位于第一隔离区以及第二隔离区之间的半导体衬底上。栅极电极具有第一部分以及第二部分，覆盖部分的栅极介电层且分别延伸至第一隔离区与第二隔离区。沟槽分隔栅极电极的第一部分与第二部分且具有第一宽度，并露出部分的栅极介电层，其中沟槽对应位于通道区与第一阱的边界上方。通过实施本发明，可降低衬底漏电流，避免电路失效，增加半导体装置的可靠性。
- 专利分类
