[发明专利]制造具有氧化硅/氮化硅/氧化硅层的半导体组件的方法有效
| 申请号： | 03130644.6 | 申请日： | 2003-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN1467799A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 陈政顺 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/283;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京中原华和专利代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种制造半导体组件的方法，其是在一基底表面形成有一多层膜，如氧化硅/氮化硅/氧化硅层，该一多层膜包含一二氧化硅第一层、一氮化硅中间层以及一二氧化硅顶层。其中，该二氧化硅顶层具有一暴露面。然后，将多层膜的二氧化硅顶层暴露面显露于一含氮自由基电浆下，以在暴露面上形成一氧化物的氮化层。而且，该多层膜的二氧化硅顶层上的氧化物的氮化层具有足够厚的厚度，以保护多层膜不受后续例如为了准备在多层膜远程闸氧化层的形成的基底所采用的清洁步骤期间所造成的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 氧化 氮化 半导体 组件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造具有氧化硅/氮化硅/氧化硅层的半导体组件的方法，其特征在于其包括：在一基底的一表面上形成一多层膜，该多层膜包括一氧化硅第一层、一氮化硅中间层以及一氧化硅顶层，该氧化硅顶层具有一暴露面；以及暴露该暴露面于一含氮自由基电浆中，以在该暴露面上形成氧化物的一氮化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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