[发明专利]原子层沉积方法和原子层沉积设备无效
| 申请号： | 03823818.7 | 申请日： | 2003-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1689139A | 公开（公告）日： | 2005-10-26 |
| 发明（设计）人： | 古尔特基·S·桑赫;特鲁格·特里·多恩 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/316;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种原子层沉积方法，包括将多个半导体晶片放置进原子层沉积室内。沉积前体被与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出，以在容纳在沉积室中的晶片上形成相应的单层。在形成单层后，吹扫气体被从与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出。原子层沉积设备包括低于大气压的装载室、低于大气压的传递室和多个原子层沉积室。还披露了其他的方面和实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 沉积 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种原子层沉积方法，包括：提供一种群集处理设备，所述群集处理设备具有低于大气压的传递室、与传递室连接的低于大气压的装载室、和与传递室连接的低于大气压的多个原子层沉积室；将多个半导体晶片放置到晶片承载器上，并将晶片承载器设置在装载室内；将其上具有晶片的晶片承载器从装载室移动到传递室内；将其上具有晶片的晶片承载器从传递室移动到其中一个原子层沉积室内；以及将材料原子层沉积到由所述一个原子层沉积室内的晶片承载器容纳的各个晶片上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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