[发明专利]高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200310119746.6 | 申请日： | 2003-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1624996A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 牛智川;徐晓华;倪海桥;徐应强;韩勤;吴荣汉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构，其中包括：一过渡层，在衬底表面形成完整晶体表面；一第一势垒层，形成对载流子的能量势垒，该第一势垒层制作在过渡层上面；一量子阱层，起到将发光载流子限制在该层内的作用，该量子阱层制作在势垒层上面；一第二势垒层，形成与上势垒层对称的能量势垒，该第二势垒层制作在量子阱层上面；一表面覆盖保护层，用于保护量子阱结构，和制备接触电极，该表面覆盖保护层制作在第二势垒层上面。 | ||
| 搜索关键词： | 组分 铟镓砷 量子 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构，其特征在于，其中包括：一过渡层，在衬底表面形成完整晶体表面；一第一势垒层，形成对载流子的能量势垒，该第一势垒层制作在过渡层上面；一量子阱层，起到将发光载流子限制在该层内的作用，该量子阱层制作在势垒层上面；一第二势垒层，形成与上势垒层对称的能量势垒，该第二势垒层制作在量子阱层上面；一表面覆盖保护层，用于保护量子阱结构，和制备接触电极，该表面覆盖保护层制作在第二势垒层上面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200310119746.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有双放电中心的等离子体显示板及维持放电波形的方法
- 下一篇：线性移动装置
