[发明专利]将光电子芯片同时耦接到波导和基板上的光电子封装及方法有效

申请号：	200310121560.4	申请日：	2003-12-22
公开（公告）号：	CN1591909A	公开（公告）日：	2005-03-09
发明（设计）人：	史蒂文·托尔;吕道强	申请（专利权）人：	英特尔公司
主分类号：	H01L31/00	分类号：	H01L31/00;H01L31/0203;H01L31/0224;H01L31/0232
代理公司：	北京三友知识产权代理有限公司	代理人：	李辉
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
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摘要：	本发明公开了使用传统的助焊剂焊接过程将光电子芯片同时耦接到波导和基板上的光电子封装及方法。所公开的光电子封装包括：基板；波导，该波导安装在基板上；光电子芯片，该光电子芯片具有多个导电性接点，该导电性接点通过金属焊料耦接到基板上；以及光学元件，该光学元件位于光电子芯片上，并且通过光学焊料耦接到波导上，该光学焊料在将光电子芯片金属焊接到基板上的过程中保护光学元件。
搜索关键词：	光电子芯片同时接到波导基板上封装方法
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【主权项】：

1.一种装置，该装置包括：基板；波导，该波导安装在基板上；光电子芯片，该光电子芯片具有多个导电性接点，该导电性接点通过金属焊料耦接到基板上；以及光学元件，该光学元件位于光电子芯片上，并且通过光学焊料耦接到波导上，该光学焊料在将光电子芯片金属焊接到基板上的过程中保护光学元件。

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摘要：公开了多功能复合面板和用于多功能复合面板的方法。更具体地，公开了用于制造多功能复合面板的方法，该方法可以包括以下步骤：形成多个结构层；以及形成与多个结构层相邻的多个光伏层。形成多个结构层可以包括形成导电有机材料和无机材料的交替层。形成交替层可以包括：由导电有机材料形成第一层；以及由无机材料形成与第一层相邻的第二层。多功能复合面板可以具有从大约1mm到大约30mm的厚度。

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摘要：一种光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片尤其呈薄膜芯片的形式，所述光电子半导体芯片包括载体(5)、以及芯片前侧、芯片后侧(52)和设置在载体(5)上的半导体本体(2)，所述半导体本体具有半导体层序列。半导体层序列包括有源区域(20)，所述有源区域设置在第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间。所述有源区域用于产生或接收电磁辐射。第一半导体层(21)与第一接触件(41)导电连接，其中第一接触件(41)在芯片前侧上、尤其在有源区域(20)旁边构成。第二半导体层(22)与第二接触件(42)导电连接，并且第二接触件(42)同样在芯片前侧上、尤其在有源区域(20)旁边构成。电绝缘的分离层(6)在电端子层(31)和载体(5)之间或在载体之内构成。

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申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L31/00
摘要：在所需频率或频率带下利用超材料实现热源发出辐射的频谱调整。该超材料包括具有孔的几何结构，这些孔具有选定的尺寸和间距，使得所得表面将会在所需频谱下发出辐射。收集器可由类似的超材料或天线阵列制成，以检测所发出的辐射并将其传送到转换器装置，该转换器装置将所检测的辐射转换为电力。实施例还提供了向转换器装置的有效连接，以获取能量。可利用冷却散热器或深空来冷却转换器装置。

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摘要：本发明的一个实施例涉及制造太阳能电池的方法。从硅基板割离出硅板(704)。所述硅板的背面包括所述P型掺杂区域(104)和N型掺杂区域(106)。将金属箔附接(706)到所述硅板的背面。所述金属箔可有利地用作内置载体，用于在处理所述硅板的正面期间抓握所述硅板。另一个实施例涉及包括硅板(302)的太阳能电池，所述硅板在背面上具有P型掺杂区域(104)和N型掺杂区域(106)。将金属箔(306)粘合到所述硅板的背面，并且在所述金属箔与所述掺杂区域之间形成触点((604)和(606))。本发明还公开了其他实施例、方面和特征。

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摘要：在所需频率或频率带下利用超材料实现热源发出辐射的频谱调整。该超材料包括具有孔的几何结构，这些孔具有选定的尺寸和间距，使得所得表面将会在所需频谱下发出辐射。收集器可由类似的超材料或天线阵列制成，以检测所发出的辐射并将其传送到转换器装置，该转换器装置将所检测的辐射转换为电力。实施例还提供了向转换器装置的有效连接，以获取能量。可利用冷却散热器或深空来冷却转换器装置。

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摘要：本发明提供了通过激光烧蚀而形成的太阳能电池（300）的接触孔，以适应多种太阳能电池设计。通过引入具有例如比上覆的金属接触更窄的宽度的线性基极扩散区，从而改进了太阳能电池烧蚀过程的通量。通过具有到达基极扩散区的接触孔也可改进太阳能电池烧蚀过程的通量，所述到达基极扩散区的接触孔垂直于到达发射极扩散区的接触孔。为了允许连续激光扫描，可将激光阻挡层设置于层间介质上，以防止在某些区域上形成接触孔，所述某些区域为例如其中一种极性的金属接触可向相对极性的扩散区进行电分流的区域。在混合设计中，太阳能电池可具有线性和散布式基极扩散区这两者。可使用电光调制器以允许在散布的基极扩散设计中进行连续激光扫描。

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摘要：本发明提供了一种基于溶液的工艺，该工艺基于高分子量嵌段共聚物(BCP)纳米光刻用于在大面积的光学表面上制造周期性结构。在一个实施例中，提供了一种制造用于在光子、光学或其他相关装置中应用的纳米图案化表面的方法，该方法包括以下步骤：提供基底材料；将嵌段共聚物(BCP)材料沉积在该基底材料上；以及使用至少一种溶剂使这些BCP相分离，该溶剂选择为促进聚合物链松动并引起相分离以制造该纳米图案化表面；其中该纳米图案化表面包括具有100nm或更大的域或直径的结构的有序阵列。还描述了一种新型光子装置和光学装置。

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发明人：约瑟夫·弗雷德里克·本克 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L31/00
摘要：本发明提供了一种太阳能电池的金属触点，所述金属触点是通过电镀铜而形成，所述电镀使用形成于电介质层上的电镀晶种(211)。所述电镀晶种包括铝层，所述铝层通过所述电介质层中的接触孔连接到所述太阳能电池的扩散区。在所述铝层上形成镍层，所述镍层‑铝层堆叠形成所述电镀晶种(212)。所述铜是在镀铜液中被电镀的，所述镀铜液使用甲磺酸代替硫酸作为支持电解质(213)。

低电压光电检测器-201380078087.8
发明人：那允中;H-D·刘;Y·康;S-L·陈 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L31/00
摘要：一种低电压光电检测器结构包括可以是Ge的半导体器件层，该半导体器件层设置在可以是Si的衬底半导体上方，例如在光集成电路(PIC)芯片内横向延伸的波导的部分之内。在器件层形成于绝缘层上方的示例性实施例中，去除绝缘层以暴露半导体器件层的表面，并且在高场区之内形成钝化材料以作为绝缘层的替代。在其它实施例中，通过在金属－半导体－金属(MSM)架构中将电极隔开、或在p‑i‑n架构中将互补掺杂区域隔开，来提供足以在一距离上引发碰撞电离的场强，该距离不显著大于比载流子为了获得足够能量以用于碰撞电离而必须行进的距离大一个数量级的距离。

面板、面板的制造方法、太阳电池模块、印刷装置及印刷方法-201180058759.X
发明人：阪本行 -专利权人：阪本顺
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/00
摘要：本发明的面板(100)具备基板(10)、电极(20)和透明导电层(30)，该电极(20)设置于基板(10)上，该透明导电层(30)设置于基板(10)上，并设置于电极20的侧部。电极(20)具有与透明导电层(30)接触的接触区域(20ａ)、和不与透明导电层(30)接触的非接触区域(30ｂ)。优选的是，电极(20)的一部分露出于透明导电层(30)，透明导电层(30)相对于延伸在规定方向上的电极(20)分开在一侧及另一侧。

基于纳米线阵列的太阳能接收装置-201180066970.6
发明人：俞荣浚;穆尼布·沃贝尔;彼得·杜安 -专利权人：立那工业股份有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/00
摘要：一个光伏设备，具有将光能转化为电能的操作性，包括一个基板，复数个基本垂直于基板的结构，和结构之间的一个或多个凹槽，每个凹槽具有位于一个底壁上的平面镜，并且每个凹槽被一透明材料填充。该结构具有p‑n或p‑i‑n结将光转换成为电能。该平面镜功能性的作为电极，可以将入射其上的光线反射给该结构来转换光成为电能。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]将光电子芯片同时耦接到波导和基板上的光电子封装及方法有效

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