[发明专利]磁阻效应元件、磁性存储单元和磁性存储器件有效
| 申请号： | 200410068661.4 | 申请日： | 2004-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1591674A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 羽立等 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张天安;杨松龄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种可有效地利用由流过导线的电流所形成的磁场稳定地进行信息的写入、而且可以稳定地保持所写入的信息的磁性存储器件。备有对应于写入比特线(5)和写入字线(6)的交叉的区域配置、构成为包围它们的周围的一部分或全部的磁轭(4)，和含有磁化方向因外界磁场而变化的第2磁性层(8)、与磁轭(4)磁连接的叠层体(S20)，由于第2磁性层(8)具有大于磁轭(4)的保磁力，磁轭(4)具有越接近第2磁性层(8)越大的保磁力，所以可以抑制磁轭(4)的残留磁化产生的影响，可以稳定地保持第2磁性层(8)的磁化方向。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 磁性 存储 单元 器件 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，其特征在于，备有：对应于沿着导线的延长方向的一部分区域配置、构成为包围上述导线的周围的一部分或全部的磁轭，和含有磁化方向因外界磁场而变化的磁感应层、与上述磁轭磁连接的叠层体，上述磁感应层具有大于上述磁轭的保磁力，上述磁轭具有越接近上述磁感应层越大的保磁力。
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