[发明专利]垫重分布层与铜垫重分布层的制造方法有效
| 申请号： | 200510002427.6 | 申请日： | 2005-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1725466A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 郑嘉仁;游秀美;曾立鑫;林孜翰;吴庆强;罗俊彦;黄立全;苏竟典 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60;H01L23/52;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种垫重分布层与铜垫重分布层的制造方法，所述垫重分布层的制造方法，包括：提供一基底，其上具有为一第一保护层所露出的至少一接垫；顺应地形成一扩散阻障层以及一晶种层于该第一保护层与该接垫上；形成一图案化掩膜层于该晶种层上，以露出电性连结于该接垫的一部分该晶种层；形成一金属层于为该图案化掩膜层所露出的该晶种层上；形成一牺牲层于该金属层与该图案化掩膜层上；移除该图案化掩膜层及其上的牺牲层，以露出该图案化掩膜层下方的该晶种层，并余留该牺牲层于该金属层上；移除为该金属层所露出的该晶种层及其下的该扩散阻障层，残留的该牺牲层以形成一垫重分布层。借由本发明可形成高速度与良好表现的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 分布 铜垫重 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种垫重分布层的制造方法，其特征在于所述垫重分布层的制造方法包括下列步骤：提供一基底，其上具有为一第一保护层所露出的至少一接垫；顺应地形成一扩散阻障层以及一晶种层于该第一保护层与该接垫上；形成一图案化掩膜层于该晶种层上，以露出电性连结于该接垫的一部分该晶种层；形成一金属层于为该图案化掩膜层所露出的该晶种层上；形成一牺牲层于该金属层与该图案化掩膜层上；移除该图案化掩膜层及其上的牺牲层，以露出该图案化掩膜层下方的该晶种层，并余留该牺牲层于该金属层上；以及移除为该金属层所露出的该晶种层及其下的该扩散阻障层，以及残留的该牺牲层以形成一垫重分布层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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