[发明专利]半导体集成电路有效
| 申请号： | 200510087187.4 | 申请日： | 2005-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1728381A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 炭田昌哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗正云;宋志强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的半导体集成电路包括：MOS基底，具有相互分开的基底区域(MOS)和源极区域；伪MOS电路，与该MOS电路基底分离，并具有相互分开的基底区域(伪)和源极区域(伪)；基底电压产生电路，用于产生要施加到该基底区域(MOS)和基底区域(伪)上的基底电压；比较电路，用于测量该伪MOS基底中产生的电流，其中基底区域(伪)与源极区域(伪)的面积比基本上等于基底区域(MOS)与源极区域(MOS)的面积比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路，包括：MOS基底，具有相互分开的基底区域(MOS)和源极区域；伪MOS电路，与该MOS电路基底分离，并具有相互分开的基底区域(伪)和源极区域(伪)；基底电压产生电路，用于产生要施加到该基底区域(MOS)和基底区域(伪)上的基底电压；和比较电路，用于测量该伪MOS基底中产生的电流，其中基底区域(伪)与源极区域(伪)之间的面积比基本上等于基底区域(MOS)与源极区域(MOS)之间的面积比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
