[发明专利]用于提供利用自旋转移的磁性元件的热辅助切换的方法和系统无效
| 申请号： | 200580008856.2 | 申请日： | 2005-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1934652A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 怀一鸣;M·帕卡拉 | 申请（专利权）人： | 弘世科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/14 | 分类号： | G11C11/14 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提供能用于磁性存储器中的磁性元件的方法和系统。所述磁性元件包括被钉扎层、非磁性间隔层、自由层以及热辅助切换层。所述间隔层位于所述被钉扎层和自由层之间。所述自由层位于所述间隔层和热辅助切换层之间。所述热辅助切换层在所述自由层未被切换时改善所述自由层的热稳定性，优选通过与所述自由层的耦合。当写入电流通过所述磁性元件时，所述自由层利用自旋转移而发生切换。写入电流优选还加热所述磁性元件以降低由热辅助切换层提供的自由层的稳定。另一方面，所述磁性元件还包括第二自由层、第二非磁性间隔层以及第二被钉扎层。所述热辅助切换层位于静磁耦合的所述两个自由层之间。所述第二间隔层位于所述第二自由层和第二被钉扎层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提供 利用 自旋 转移 磁性 元件 辅助 切换 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种磁性元件，包括：被钉扎层；间隔层，所述间隔层为非磁性的；自由层，所述间隔层位于所述被钉扎层和所述自由层之间；热辅助切换层，所述自由层位于所述间隔层和所述热辅助切换层之间，所述热辅助切换层用于当所述自由层未被切换时改善所述自由层的热稳定性；其中所述磁性元件构造成，当写入电流通过所述磁性元件时允许所述自由层由于自旋转移而发生切换。
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