[发明专利]栅电极叠层和栅电极叠层的使用无效
| 申请号： | 200610074341.9 | 申请日： | 2006-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1845336A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | U·埃格尔;M·戈德巴赫;吴东平 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件中的衬底上的栅电极叠层，其包括具有下述的栅极导体：a)至少一个多晶硅层，和b)至少一个多晶Si1－xGex材料层。本发明还涉及工艺。由于实现了终点检测，因此能够有效地刻蚀这种结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 使用 | ||
【主权项】：
1.在半导体器件中的衬底上的栅电极叠层，包括具有下述的栅极导体：a)至少一个多晶硅层，和b)至少一个多晶Si1-xGex材料层。
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- 2014-05-12 - 2015-11-25 - H01L29/43
- 本发明揭示了一种半导体结构及其形成方法，包括依次层叠的硅基底；覆盖所述硅基底的第一层NiPt薄膜，及覆盖所述第一层NiPt薄膜的第二层NiPt薄膜，所述第一层NiPt薄膜中Pt的含量高于第二层NiPt薄膜中Pt的含量。本发明中利用与硅基底接触的第一层NiPt薄膜中Pt的含量较高，从而对NiSi的形成有利；而第二层NiPt薄膜中Pt的含量较低，在化学刻蚀比较容易去除，减少甚至避免了如在现有技术中容易形成的多种缺陷，这就提高了产品的质量。
- 功率器件电极及其制造方法-201410042915.9
- 李理;马万里;赵圣哲 - 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
- 2014-01-29 - 2015-07-29 - H01L29/43
- 本发明提供一种功率器件电极及其制造方法，其中，方法包括：在硅片上依次生成第一钛层、钨钛合金层和第二钛层；在氮气和氢气的混合气体中，对所述硅片进行高温退火处理，以使所述第一钛层通过与所述硅片反应形成位于所述硅片表面和所述钨钛合金层之间的硅钛化合物层、并形成位于所述第二钛层表面的氮化钛层；在所述氮化钛层的表面铺设金属互联层。通过本发明提供的功率器件电极及其制造方法，能够在高温大电流的应用场景下，有效保证并提高器件的器件性能和可靠性。
- 石墨烯掺杂材料及其制备方法、电极、像素结构、显示装置-201510005751.7
- 杨久霞;刘建涛;白峰 - 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
- 2015-01-06 - 2015-04-22 - H01L29/43
- 本发明提供一种石墨烯掺杂材料及其制备方法、电极、像素结构、显示装置。本发明的目的是解决现有技术存在的单层石墨烯方阻较高的问题；本发明的石墨烯掺杂材料及其制备方法、电极、像素结构、显示装置由于对石墨烯层进行掺杂，形成石墨烯掺杂材料使得掺杂材料与石墨烯进行键接、提高载流子的传输速率，降低了石墨烯掺杂材料的方阻。
- 一种透明导电薄膜-201310642530.1
- 喻志农;李旭远;张世玉;蒋玉蓉;薛唯 - 北京理工大学
- 2013-12-03 - 2014-02-19 - H01L29/43
- 本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理，提出一种氧化物-金属-氧化物三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZOTFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化物层采用铟镓锌氧化物(IGZO)和锰氧化物复合层，金属层采用金属铜(Cu)；锰氧化物在金属铜层和铟镓锌氧化物层之间，增加铜层和铟镓锌氧化物层的粘附性并阻止铜向铟镓锌氧化物层扩散。本发明中提出的透明导电薄膜用作IGZOTFT的源极、漏极和栅极时，透明导电薄膜能够与IGZOTFT的有源层形成接触电阻低的欧姆接触，并且使IGZOTFT具有良好的透光性和电特性。
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