[发明专利]低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法无效
| 申请号： | 200610089591.X | 申请日： | 2006-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101101967A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 于贵;狄重安;徐新军;刘云圻;孙艳明;王鹰;朱道本 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法，涉及有机场效应晶体管技术，该有机场效应晶体管为下电极结构，其源漏电极，是由具有低功函的材料构成，包括银或铜，在源漏电极和有机半导体的接触面形成有有机电荷转移复合盐层；其制备方法是：在衬底上沉积栅极电极和绝缘层，再在绝缘层上沉积源漏电极；对源漏电极进行修饰，使其上表面覆着一有机电荷转移复合盐层；再在复合盐层上沉积有机半导体材料。本发明的有机场效应晶体管，其金属下电极与半导体有良好的接触，保证了载流子的有效注入，本发明方法可以实现高性能、低成本有机场效应晶体管制备。 | ||
| 搜索关键词： | 低成本 性能 有机 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低成本高性能有机场效应晶体管，为下电极结构，包括衬底、栅极电极、绝缘层、源漏电极和有机半导体；其特征在于，源漏电极，是由具有低功函的材料构成，包括银或铜，在源漏电极和有机半导体的接触面形成有有机电荷转移复合盐层。
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