[发明专利]集电极耦合功率异质结双极晶体管单元无效
| 申请号： | 200610116090.6 | 申请日： | 2006-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1921117A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 马平西;马可·瑞可那里;李伟 | 申请（专利权）人： | 捷智半导体研发（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/737 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴泽群 |
| 地址： | 201203上海市张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种涉及集电极耦合功率异质结双极晶体管单元，尤指一种主要用于无线通讯领域中，要求能够提高锗硅对功放应用的截止频率和击穿电压的异质结双极晶体管单元。该装置由发射极、基极和集电极组成的晶体管、电源、互补金属－氧化物－半导体及集成电路等，由两个独立的相邻的成对发射极和一对基极和一对集电极构成一异质结双极晶体管，其间设有一优化的尺寸S；主要解决如何提高锗硅对功放应用的截止频率和击穿电压等有关技术问题。本发明的优点是：异质结双极晶体管在窄发射极下展示了比宽发射极高的截止频率，能够有效地提高异质结双极晶体管的截止频率和击穿电压；并且这种单元与主流的锗硅双极CMOS工艺是相兼容的。 | ||
| 搜索关键词： | 集电极 耦合 功率 异质结 双极晶体管 单元 | ||
【主权项】：
1、一种集电极耦合功率异质结双极晶体管单元，该装置由发射极、基极和集电极组成的晶体管、电源、互补金属-氧化物-半导体及集成电路，其特征在于：由两个独立的相邻的成对发射极和一对基极和一对集电极构成一异质结双极晶体管，其间设有一优化的尺寸(S)，其中：第一发射极长度为(SE1)，第二发射极长度为(SE2)，第一发射极长度(SE1)和第二发射极长度(SE2)之间的距离为优化的尺寸(S)，该优化的尺寸(S)为放大或为缩小的距离，并导致发射极长度(SE)为窄和为宽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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