[发明专利]一种反应腔室内部工艺状态监控方法无效
申请号: | 200610165462.4 | 申请日: | 2006-12-20 |
公开(公告)号: | CN101207000A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 胡立琼 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑立明;郭宗胜 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明所述的一种反应腔室内部工艺状态监控方法,通过检测反应腔室内部工艺气体的光谱参数,并根据预定的工艺气体的光谱参数与反应腔室内部的工艺参数对应关系得出对应的反应腔室内部的工艺参数。并可在得到的反应腔室内部的工艺参数超出设定的标准时,产生报警信息。在测试与监控过程中不会扰动反应腔室内部,影响测试结果与工艺结果、可实时监控等离子体微观状态,及时阻止由等离子体状态发生变化引起的工艺结果的漂移。并且,可以通过确定等离子体微观状态与工艺结果间的统计关系,建立等离子体微观状态的控制线为设备故障诊断提供参考依据。 | ||
搜索关键词: | 一种 反应 内部 工艺 状态 监控 方法 | ||
【主权项】:
1.一种反应腔室内部工艺状态监控方法,其特征在于,包括:检测反应腔室内部工艺气体的光谱参数,并根据预定的工艺气体的光谱参数与反应腔室内部的工艺参数对应关系得出对应的反应腔室内部的工艺参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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