[实用新型]横向DMOS结构无效
| 申请号： | 200620114836.5 | 申请日： | 2006-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN200969352Y | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 刘先锋;任冲;黄海涛 | 申请（专利权）人： | BCD半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 英属开曼*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种横向DMOS结构，在栅极靠近漏极的一侧具有低浓度掺杂的P区。该横向DMOS结构在靠近栅极的表面电场强度被削弱。采用本实用新型的技术方案，能有效降低栅极附近的电场大小，从而增加DMOS器件的安全工作区域的大小并提高器件长期工作的可靠性。并且不需要增加制造的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 dmos 结构 | ||
【主权项】：
1.一种横向DMOS结构，其特征在于，在栅极靠近漏极的一侧具有低浓度掺杂的P区。
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