[发明专利]具有可施加至靶材的射频电源的物理气相沉积等离子体反应器有效
| 申请号： | 200680000183.0 | 申请日： | 2006-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101124350A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·M·布朗;约翰·皮比通;瓦尼特·梅塔 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种物理气相沉积反应器包含一真空腔体、一耦接到腔体上的真空泵、一耦接到腔体的工艺气体入口以及一耦接到工艺气体入口的工艺气体源；其中该真空腔体包含一侧壁、一顶板与接近腔体底面的一晶片支撑底座。金属溅射靶材位于顶板上且高压直流源耦接到溅射靶材上。射频等离子体源功率产生器耦接到金属溅射靶材上，且具有适合激发运动电子的频率。优选地，晶片支撑底座包含静电吸盘，以及耦接到晶片支撑底座上的一射频等离子体偏压功率产生器，其具有适于将能源耦合到等离子体离子的频率。优选地，具有直径超过约0.5英寸的固体金属射频馈入杆(feed rod)与金属靶材啮合，此射频馈入杆轴向延伸于靶材上方且穿过顶板并耦接到射频等离子体源功率产生器上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 施加 至靶材 射频 电源 物理 沉积 等离子体 反应器 | ||
【主权项】：
1.在一等离子体反应器的一真空腔体中在集成电路上进行铜的物理气相沉积的方法，包含：提供接近所述腔体的一顶板处的一铜靶材；在一晶片支撑底座上放置一集成电路晶片，该晶片支撑底座靠近所述腔体的一底面且面向所述靶材；导入一载气到所述真空腔体中；以及通过将直流功率施加到所述铜靶材上在所述晶片上建立一沉积速率，同时通过将VHF功率施加到所述铜靶材上，在接近所述晶片处建立一所需等离子体离子化份额。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680000183.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示多种颜色效果的模制品、相关的照明装置和树脂
- 下一篇：牵引梁耐磨衬垫
- 同类专利
- 专利分类
