[发明专利]高输出红色半导体激光器无效
| 申请号： | 200680037164.5 | 申请日： | 2006-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101283493A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 中原健;石川努 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高输出红色半导体激光器，其改善散热特性抑制激光器元件的温度上升，无需增大元件的散热面积。该发明在倾斜n－GaAs衬底(2)上层叠有n－AlGaInP包层(3)、AlGaInP光导层(4)、MQW有源层(5)、AlGaInP光导层(6)、p－AlGaInP第1包层(7)、AlGaInP蚀刻停止层(8)、n－AlGaInP阻挡层(11)、p－AlGaAs第2包层(9)、p－GaAs接触层(10)、p电极(12)，在n－GaAs衬底(2)的背面形成有n电极(1)。由于第2包层(9)把热传导率良好的AlGaAs作为其成分，因此可以提高激光器元件的散热特性。 | ||
| 搜索关键词： | 输出 红色 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种高输出红色半导体激光器，其是AlGaInP类的高输出红色半导体激光器，其在n型半导体衬底上至少依次具有n型包层、有源层和p型包层，并且在有源层的上部具有含有所述p型包层的带状的脊部，其特征在于，用含有AlGaAs的半导体形成构成所述脊部的半导体层的一部分。
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