[发明专利]制造半导体器件的方法和采用此方法获得的半导体器件无效
| 申请号： | 200680042627.7 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101310369A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 维贾亚哈万·马达卡塞拉 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体器件(10)的方法，该半导体器件具有衬底(11)和至少具有一个半导体元件(E)的半导体主体(12)，其中在半导体主体(12)的表面上形成了台面状半导体区域(1)，在台面状半导体区域(1)上沉积了绝缘层(2)，台面状半导体区域(1)顶部的绝缘层厚度小于与半导体区域(1)邻接的区域(3)中的绝缘层厚度，随后去除绝缘层(2)在台面状半导体区域(1)上的部分，以露出台面状半导体区域(1)的上面，并且随后在得到的结构上沉积与台面状半导体区域(1)接触的导电层(4)。根据本发明，采用高密度等离子体沉积工艺来沉积绝缘层(2)。这种工艺尤其适于制造具有例如纳米线形式的小台面状区域(1)的器件。优选地，在沉积绝缘层(2)前，采用另外的保形沉积工艺来沉积另一薄的绝缘层(5)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 采用 获得 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件(10)的方法，该半导体器件具有衬底(11)和至少具有一个半导体元件(E)的半导体主体(12)，其中在半导体主体(12)的表面上形成台面状半导体区域(1)，在所述台面状半导体区域(1)上沉积绝缘层(2)，在所述台面状半导体区域(1)顶部上的绝缘层厚度小于与所述半导体区域(1)邻接的区域(3)中的绝缘层厚度，随后去除所述绝缘层(2)在台面状半导体区域(1)上的部分以露出所述台面状半导体区域(1)的上面，并且随后在得到的结构上沉积与所述台面状半导体区域(1)接触的导电层(4)，所述方法的特征在于采用高密度等离子体沉积工艺来沉积所述绝缘层(2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
