[发明专利]高效太阳能电池用微晶多晶硅片无切割制备方法无效
| 申请号： | 200710014346.7 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101092742A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 陆大荣;王庆凯;谢宏祖;马瑾;宗福建;陆洁 | 申请（专利权）人： | 陆大荣 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B29/64;C30B28/04 |
| 代理公司： | 青岛高晓专利事务所 | 代理人： | 于正河 |
| 地址： | 266071山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用水平拉伸工艺无切割制备高效太阳能电池用微晶多晶硅片的方法，先将硅晶体原料清洗提纯为高纯度硅；再将高纯度硅添加适量掺杂剂置于电控式高温熔炉中在无尘环境下加热至1400～1500℃高温，使硅材料完全熔化；然后将硅熔液在水平拉伸设备中控制拉伸速度均匀拉伸或采用液面浮法技术制成0.2～0.4mm厚度的微晶多晶硅片；最后将制成的晶片整理成符合使用规格的微晶多晶硅片产品，本方法具有加工技术成熟，加工损耗少，控制精确度好，产品质量优等突出优点，特别是拉伸技术和浮法技术应用于微晶多晶硅片制备过程并采用现代电子精密控制技术使制成的产品在材料利用率和成本方面优于现有技术产品。 | ||
| 搜索关键词： | 高效 太阳能电池 用微晶 多晶 硅片 切割 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高效太阳能电池用微晶多晶硅片无切割制备方法，其特征在于先将硅原料清洗提纯为9999纯度的高纯度硅；再将高纯度硅或加入常规量级的掺杂剂硼置于电控式高温熔炉中在无尘环境下加热至1400～1500℃，使硅完全熔化；然后将硅熔液在拉伸设备中控制拉伸速度均匀拉伸或采用锡熔液面浮法技术制成0.2～0.4mm厚度的微晶多晶硅片；最后将制成的硅晶片按规格整理加工成长度和宽度符合使用规格的高纯度微晶多晶硅片产品。
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