[发明专利]碳纳米管生长装置有效
申请号: | 200710077112.7 | 申请日: | 2007-09-14 |
公开(公告)号: | CN101387008A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 罗春香;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | C30B25/00 | 分类号: | C30B25/00;C01B31/02;C30B29/02;C30B29/62 |
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地址: | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种碳纳米管生长装置,该碳纳米管生长装置包括一激光照射装置及一工作台;其中,上述的碳纳米管生长装置进一步包括一观测装置和一光照明装置。该观测装置包括一观测筒、一设置于观测筒顶端的观测窗、一呈45°设置于观测筒内第一半反射半透镜及一呈45°设置于观测筒内的第二半反射半透镜。该光照明装置、激光照射装置垂直观测装置设置,第一半反射半透镜与激光照射装置对应设置,第二半反射半透镜与光照明装置对应设置。工作台设置于观测装置中的观测筒底部且与观测筒底部间隔一定距离设置,观测装置、激光照射装置与光照明装置三者是光学共轭的。 | ||
搜索关键词: | 纳米 生长 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种碳纳米管生长装置,该碳纳米管生长装置包括一激光照射装置及一工作台,其特征在于,上述的碳纳米管生长装置进一步包括一观测装置和一光照明装置;该观测装置包括一观测筒、一设置于观测筒顶端的观测窗、一呈45°设置于观测筒内第一半反射半透镜及一呈45°设置于观测筒内的第二半反射半透镜;该光照明装置、激光照射装置垂直观测装置设置,第一半反射半透镜与激光照射装置对应设置,第二半反射半透镜与光照明装置对应设置;该工作台设置于观测装置中的观测筒底部且与观测筒底部间隔一定距离设置,观测装置、激光照射装置与光照明装置三者是光学共轭的。
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