[发明专利]风扇驱动系统无效

专利信息
申请号: 200710152351.4 申请日: 2007-09-27
公开(公告)号: CN101399512A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 林凯评;林崇仁 申请(专利权)人: 天钰科技股份有限公司
主分类号: H02P6/08 分类号: H02P6/08;H02P6/16
代理公司: 北京申翔知识产权代理有限公司 代理人: 周春发
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及一种风扇驱动系统。所述风扇驱动系统包括一风扇驱动器及一MOSFET组。所述风扇驱动器包括四个驱动信号输出端,所述MOSFET组包括N型MOSFET1、N型MOSFET2、P型MOSFET3及P型MOSFET4,所述MOSFET1与MOSFET3的漏极与风扇的第一端相连,所述MOSFET2与MOSFET4的漏极与风扇的第二端相连,四个MOSFET的栅极分别与所述四个驱动信号输出端分别相连。所述MOSFET组还包括第一二极管、第二二极管、第三二极管及第四二极管,所述第一二极管的阳极、第三二极管的阴极与风扇的第一端相连,所述第二二极管的阳极、第四二极管的阴极与风扇的第二端相连,所述第一二极管的阴极与第二二极管的阴极接一电源电压,所述第三二极管的阳极与第四二极管的阳极接地。
搜索关键词: 风扇 驱动 系统
【主权项】:
1. 一种风扇驱动系统,用以驱动一风扇,其包括:一个风扇驱动器,所述风扇驱动器用以接收从风扇上输出的霍尔感测信号N+与N-,所述风扇驱动器包括第一驱动信号输出端,第二驱动信号输出端,第三驱动信号输出端及第四驱动信号输出端;一个场效应晶体管组,所述场效应晶体管组包括第一场效应晶体管MOSFET1、第二场效应晶体管MOSFET2、第三场效应晶体管MOSFET3及第四场效应晶体管MOSFET4,所述第一场效应晶体管MOSFET1与第二场效应晶体管MOSFET2为N型,所述第三场效应晶体管MOSFET3与第四场效应晶体管MOSFET4为P型,所述第一场效应晶体管MOSFET1的漏极与第三场效应晶体管MOSFET3的漏极相连且均与风扇的第一端相连,所述第二场效应晶体管MOSFET2的漏极与第四场效应晶体管MOSFET4的漏极相连且均与风扇的第二端相连,所述第一场效应晶体管MOSFET1、第二场效应晶体管MOSFET2、第三场效应晶体管MOSFET3、第四场效应晶体管MOSFET4的栅极分别与所述风扇驱动器的第一驱动信号输出端,第二驱动信号输出端,第三驱动信号输出端及第四驱动信号输出端相连,所述第一场效应晶体管MOSFET1与第四场效应晶体管MOSFET4的导通/关闭状态相同,所述第二场效应晶体管MOSFET2与第三场效应晶体管MOSFET3的导通/关闭状态相同且与第一场效应晶体管MOSFET1的导通/关闭状态相异;其特征在于,所述场效应晶体管组还包括第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3及第四二极管D4;所述第一二极管D1的阳极及第三二极管D3的阴极与风扇的第一端相连,所述第二二极管D2的阳极及第四二极管D4的阴极与风扇的第二端相连,所述第一二极管D1的阴极与第二二极管D2的阴极接一电源电压,所述第三二极管D3的阳极与第四二极管D4的阳极接地。
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