[实用新型]低压化学气相淀积反应系统有效
| 申请号： | 200720144353.4 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN201136892Y | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 朴松源;白杰;何有丰;唐兆云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种LPCVD反应系统，包含提供反应气体的气体源、流量控制器、气体喷放装置以及反应腔室，所述气体源、流量控制器和气体喷放装置通过气体管路顺序相接；所述反应气体由所述气体源流出，经由所述流量控制器及气体喷放装置进入所述反应腔室；所述反应系统还包含压力控制器，所述压力控制器与连接气体源和流量控制器的气体管路以及连接流量控制器和气体喷放装置的气体管路分别相连；所述流量控制器为低压流量控制器。可增强进入其内的流量控制器的氟化氢气体的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 化学 气相淀积 反应 系统 | ||
【主权项】：
1.一种低压化学气相淀积反应系统，包含提供反应气体的气体源、流量控制器、气体喷放装置以及反应腔室，所述气体源、流量控制器和气体喷放装置通过气体管路顺序相接；所述反应气体由所述气体源流出，经由所述流量控制器及气体喷放装置进入所述反应腔室；所述反应系统还包含压力控制器，所述压力控制器与连接气体源和流量控制器的气体管路以及连接流量控制器和气体喷放装置的气体管路分别相连；其特征在于：所述流量控制器为低压流量控制器。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
