[发明专利]聚硅氮烷层的退火工艺及其形成半导体器件隔离层的方法无效
| 申请号： | 200810006271.2 | 申请日： | 2008-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101241858A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 全光锡;朱光哲;申完燮;尹光铉 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及聚硅氮烷层的退火工艺及用其形成半导体器件隔离层的方法。将具有形成的聚硅氮烷(PSZ)层的晶片装载到室中，同时在所述室内保持装载温度。将氧气供应给所述室。装载后，所述室内温度升高至处理温度。随后，在保持处理温度的室内固化所述PSZ层。在该固化步骤期间，给室提供蒸气从而使得氧气和蒸气的比例设定为1∶1～50∶1。在停止氧气和蒸气供应的情况下，通过提供惰性气体到所述室来吹扫所述室的内部。 | ||
| 搜索关键词： | 聚硅氮烷层 退火 工艺 及其 形成 半导体器件 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚硅氮烷(PSZ)层的退火方法，其包括：把在其上形成有聚硅氮烷(PSZ)层的晶片装载到保持装载温度的室中，其中将氧气供应到所述室；在所述室内保持处理温度的状态下，固化所述PSZ层，其中将蒸气供应给所述室，并将氧气和蒸气的比设定为约1∶1～约50∶1；通过停止供应到所述室的氧气和蒸气二者来吹扫所述室的内部；将惰性气体供应到所述室；和在所述室内保持卸载温度的状态下，将所述晶片卸载到所述室外。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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