[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法无效
| 申请号： | 200810092453.6 | 申请日： | 2008-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101290799A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 金元柱;朴允童;李承勋;金锡必;玄在雄;成政宪;李太熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;H01L27/115;H01L23/522;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种非易失性存储装置及其操作方法。该非易失性存储装置包括以NAND串设置在半导体基底上的存储晶体管。串选择晶体管设置在NAND串的第一端，接地选择晶体管设置在NAND串的第二端。位线在串选择晶体管的外部电连接到半导体基底，并连接到接地选择晶体管的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括至少一个NAND串结构，所述至少一个NAND串结构包括：NAND串，具有布置在半导体基底上的多个存储晶体管；串选择晶体管，设置在半导体基底上，位于所述NAND串的第一端；接地选择晶体管，设置在半导体基底上，位于所述NAND串的第二端；位线，电连接到半导体基底和接地选择晶体管的栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810092453.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
