[发明专利]晶质化SiO2-Al2O3混合氧化物蒸镀材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 200810122444.7 申请日: 2008-05-28
公开(公告)号: CN101294269A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 许士荣 申请(专利权)人: 昆山光铭光电子元件有限公司
主分类号: C23C14/10 分类号: C23C14/10;G02B1/10
代理公司: 昆山四方专利事务所 代理人: 盛建德
地址: 215337江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种晶质化SiO2-Al2O3混合氧化物蒸镀材料的制备方法,先置二氧化硅-氧化铝混合氧化物粉体,按重量百分比由SiO2(50%-90%)和Al2O3(10%-50%)组成,将该混合粉体置于真空中频感应炉石墨坩锅中,在真空度≤1×10-2Pa下用中频源感应石墨坩锅加热到1650℃-1750℃,形成SiO2-Al2O3混合氧化物熔融体,对该熔融体通过缓慢沉降冷却,形成预熔融晶质化SiO2-Al2O3混合氧化物蒸镀材料。制备过程中出现的水汽和残留气体采用冷阱捕集器捕集,深冷温度≤-120℃。本发明用高真空中频感应炉感应加热石墨坩埚并缓慢沉降长晶法制备预熔融晶质化SiO2-Al2O3混合氧化物,作为蒸镀高级光学薄膜用的高纯高致密度起始材料。本例可缩短生产周期,节约生产成本。
搜索关键词: 晶质化 sio sub al 混合 氧化物 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种晶质化SiO2-Al2O3混合氧化物蒸镀材料的制备方法,其特征是:依次按以下步骤:步骤(1),配置SiO2-Al2O3混合氧化物粉体,按重量百分比由SiO2:50%-90%和Al2O3:10%-50%组成;步骤(2),将所述SiO2-Al2O3混合氧化物粉体置于石墨坩锅中,石墨坩锅置于真空中频感应炉中,真空压力≤1×10-2Pa,用中频感应炉感应加热石墨坩锅,使石墨坩埚感应发热到1650℃-1750℃,热辐射和热传导至SiO2-Al2O3混合氧化物粉体,形成SiO2-Al2O3混合氧化物熔融体;步骤(3),对该SiO2-Al2O3混合氧化物熔融体通过石墨坩锅相对加热区缓慢沉降冷却,沉降速度恰可形成预熔融SiO2-Al2O3氧化物晶质化蒸镀材料。
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