[发明专利]一种花形ZnSe半导体纳米晶的合成方法

摘要

本发明属于一种纳米材料的合成方法，具体为一种花形ZnSe半导体纳米晶的合成方法。在惰性气体保护下，将单质Se加热搅拌或超声溶于TOP中得到Se前体；将锌源体、十八烯和长链烷基胺混合得到Zn前体；先对Zn前体其进行“均一化”处理，然后在惰性气体保护下升温至合成反应温度(300-350℃)；将Se前体快速加入Zn前体中，通过反应一定时间，得到花形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。通过加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物花形ZnSe纳米晶的透明溶液。该方法具有反应体系简单，原料易得，操作简单，环境污染小，结晶度好的优点。

主权项

1. 一种花形ZnSe纳米晶的合成方法，其特征在于包括如下步骤：(1)第一步，将Se，配位溶剂，在惰性气体保护下加热并搅拌1-10个小时，得到Se前体。(2)第二步，将ODE，锌源体，长链烷基胺在惰性气体保护下搅拌混合得到Zn前体，然后对其进行“均一化”处理。(3)第三步，继续在惰性气体保护下，将Zn前体升温至300-350℃后，搅拌的同时将Se前体迅速注射到Zn前体中，此时由于反应吸热和温差将会使整个反应体系温度迅速下降，一般降幅在20-50℃之间，此时纳米晶开始生长，反应开始计时。(4)第四步，纳米晶开始生长后，反应时间达到1-3小时，停止加热，结束反应，得到花形ZnSe纳米晶的原溶液粗产物。(5)第五步，分离纯化，即通过加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物花形ZnSe纳米晶的透明溶液。