[发明专利]波长可调半导体激光元件及其控制装置、控制方法有效
| 申请号： | 200880006573.8 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101622763B | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 藤原直树;石井启之;大桥弘美;冈本浩 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/062 | 分类号： | H01S5/062;H01S5/125 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种防止波长漂移的波长可调半导体激光元件及其控制装置、控制方法。就具有振荡激光的活性区域、和移位振荡的激光的波长的波长可调区域的波长可调半导体激光元件而言，相邻于波长可调区域，设置将投入的功率的大部分变换为热的热补偿区域，使投入波长可调区域的功率与投入热补偿区域的功率之和始终恒定。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 可调 半导体 激光 元件 及其 控制 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种波长可调半导体激光元件，具有振荡激光的活性区域、和移位振荡的激光的波长的波长可调区域，与所述波长可调区域相邻地设置热补偿区域，对所述热补偿区域投入功率，对所述热补偿区域投入的功率与对所述波长可调区域投入的功率之和始终恒定，并且投入所述热补偿区域的功率的大部分变换为热，所述热补偿区域由具有第1台面构造的非活性波导路径构成；通过向所述非活性波导路径注入电流或施加电压，将投入的功率的大部分变换为热；所述活性区域和所述波长可调区域由具有与第1台面构造不同的第2台面构造的波导路径构成；以及第1台面构造和第2台面构造之间的间隔等于或大于3μm，且等于或小于所述波长可调半导体激光元件的基板的厚度。
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