[发明专利]具有可变热导轮廓的处理系统平台无效
申请号: | 200880101772.7 | 申请日: | 2008-07-08 |
公开(公告)号: | CN101772829A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 维克拉姆·辛;理查·S·默卡;提摩太·J·米勒;崔昌勋 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于处理系统的平台包括第一热区和第二热区,第一热区和第二热区由至少一个边界分隔。第一流体导管位于第一热区中。第二流体导管位于第二热区中。流体储藏器具有耦接至第一流体导管的第一输出和耦接至第二流体导管的第二输出。流体储藏器向第一流体导管提供具有第一流体条件的流体,缘此向第一热区提供第一热导,且流体储藏器向第二流体导管提供具有第二流体条件的流体,缘此向第二热区提供第二热导,以便在平台中达成预定热导轮廓。 | ||
搜索关键词: | 具有 变热 导轮 处理 系统 平台 | ||
【主权项】:
一种用于处理系统的平台,所述平台包括:a.第一热区与第二热区,由至少一个边界分隔;b.第一流体导管,位于所述第一热区;c.第二流体导管,位于所述第二热区;以及d.流体储藏器,具有耦接至所述第一流体导管的第一输出和耦接至所述第二流体导管的第二输出,所述流体储藏器向所述第一流体导管提供具有第一流体条件的流体,缘此向所述第一热区提供第一热导,且所述流体储藏器向所述第二流体导管提供具有第二流体条件的流体,缘此向所述第二热区提供第二热导,以便在所述平台中达成预定热导轮廓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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