[发明专利]一种脉冲阳极氧化工艺制作的长波长通讯用GaInNAs半导体激光器芯片无效
| 申请号： | 200910066447.8 | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101478114A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 邓昀;曲轶;张晶;乔忠良;李辉;李梅;芦鹏;王玉霞;高欣;李占国;刘国军;王晓华 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01L21/316;C25D11/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体激光器芯片绝缘膜层的技术，该技术属于半导体发光器件的介质膜制造领域。传统制造绝缘膜层的技术应用热蒸发、溅射或各种CVD技术，在器件外延片表面沉积SiO2或Si3N4薄层作为绝缘膜，这些传统技术及其所产生的膜层会对外延材料表面造成损伤。本发明使用脉冲阳极氧化的方法，以外延材料中的Al、As等元素为原料反应生成绝缘膜层，克服了在传统制造绝缘层工艺中存在的问题。该发明可应用于半导体发光器件的制造领域。本发明还涉及一种应用脉冲阳极氧化技术制作的，专门应用在无需制冷长期连续稳定运转的光纤通讯设备中的边发射型长波长GaInNAs量子阱半导体激光器芯片，该激光器的波长专门针对G.652光纤的第2窗口，本器件属于半导体发光器件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 脉冲 阳极 氧化 工艺 制作 波长 通讯 gainnas 半导体激光器 芯片 | ||
【主权项】：
1、一种制作半导体发光器件绝缘层的工艺，称脉冲阳极氧化工艺(英文缩写为PAO)。该工艺包括：(1)、使用脉冲阳极氧化的方法，在制作边发射半导体激光器时，将P型包层靠近表面的一部分均匀转化为致密的氧化物薄层，该薄层作为激光器芯片的绝缘层。(2)、该工艺应用在整个半导体激光器芯片制作工艺流程中的位置为：光刻工艺与剥离光刻胶工艺之间。
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