[发明专利]存储电容器及包括存储电容器的半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 200910128457.X 申请日: 2009-03-19
公开(公告)号: CN101540194A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 朴根雨 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C11/24 分类号: G11C11/24;G11C11/40;H01L27/10;H01L27/108
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 杨林森;康建峰
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了存储电容器及包括存储电容器的半导体存储器件。一种存储电容器包括:第一供电单元和第二供电单元,以及串联在第一供电单元和第二供电单元之间的至少两个大容量电容器。
搜索关键词: 存储 电容器 包括 半导体 器件
【主权项】:
1.一种存储电容器,包括:第一供电单元和第二供电单元;以及串联在第一供电单元与第二供电单元之间的至少两个大容量电容器。
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  • 本发明公开了存储电容器及包括存储电容器的半导体存储器件。一种存储电容器包括:第一供电单元和第二供电单元,以及串联在第一供电单元和第二供电单元之间的至少两个大容量电容器。
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