[发明专利]存储器单元结构,存储器件及集成电路有效
申请号: | 200910129917.0 | 申请日: | 2009-04-01 |
公开(公告)号: | CN101552275A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | Y·李;M·J·维科夫斯基;D·T·布劳夫;D·M·C·赛尔韦斯特 | 申请(专利权)人: | 密执安大学评议会 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L27/115;H01L29/92;H01L29/94;G11C16/10;G11C16/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王小衡 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种存储器单元结构,使用该存储器单元结构的存储器件以及具有该存储器件的集成电路。该存储器单元结构包含具有浮置栅极节点的读取晶体管;连接至该浮置栅极节点且具有第一编程端子的隧穿电容器;连接至该浮置栅极节点及具有第二编程端子的耦合电容器叠柱,该耦合电容器叠柱包含串联布置在该浮置栅极节点及该第二编程端子之间的至少两个耦合电容器,该耦合电容器叠柱具有比该隧穿电容器更大的电容;在编程操作期间,在该第一编程端子及该第二编程端子间建立电压差,以造成发生电荷隧穿通过该隧穿电容器,以致在该编程操作后,电荷储存在该浮置栅极节点中;在读取操作期间,该读取晶体管被激活以产生指示储存在该浮置栅极节点中的电荷的输出信号。 | ||
搜索关键词: | 存储器 单元 结构 存储 器件 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种用于存储器件的存储器单元结构,包含:具有浮置栅极节点的读取晶体管;连接至该浮置栅极节点且具有第一编程端子的隧穿电容器;连接至该浮置栅极节点且具有第二编程端子的耦合电容器叠柱,该耦合电容器叠柱包含串联布置在该浮置栅极节点及该第二编程端子之间的至少两个耦合电容器,该耦合电容器叠柱具有比该隧穿电容器更大的电容;在编程操作期间,在该第一编程端子及该第二编程端子间建立电压差,以造成发生电荷隧穿通过该隧穿电容器,以致在该编程操作后,电荷储存在该浮置栅极节点中;及在读取操作期间,该读取晶体管被激活以产生指示储存在该浮置栅极节点中的电荷的输出信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于密执安大学评议会,未经密执安大学评议会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910129917.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型旋钮结构
- 下一篇:模拟缓冲放大器、用于输入电压分组的控制装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的