[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法有效
申请号: | 200910140258.0 | 申请日: | 2009-07-13 |
公开(公告)号: | CN101673711A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 清水洋治;西堀雅和;落合俊彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L21/8234 | 分类号: | H01L21/8234;H01L21/768;H01L27/088;H01L23/528 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华;郑 菊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种即使在高度小型化的电路单元中仍然可以防止电路可靠性下降的电路布局设计方法。为了防止来自电势差大的电源电势或者参考电势的噪声影响栅极电极并且造成故障,要求连接到栅极电极的第一塞与对其供应电源电势或者参考电势的第二塞相互隔开如下距离,该距离足以让来自电源电势或者参考电势的噪声不影响第一塞。为此,在按照相等间隔放置于布线以下的第二塞之中,在平面布局设计之时仅删除在没有与第一塞充分隔开的布局位置放置的第二塞。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造具有集成电路的半导体集成电路器件的方法,所述方法包括以下步骤:(a)预备所述集成电路的包括多个有源区域、多个栅极电极、多个信令布线、多个功率馈给布线、多个信令塞和多个功率馈给塞的第一布局;并且(b)从所述第一布局删除所述功率馈给塞之中在与各所述信令塞的第一距离内放置的所述功率馈给塞,其中在所述步骤(a)中,用于将所述功率馈给布线电连接到所述有源区域的所述功率馈给塞放置于所述功率馈给布线以下,其中比所述信令布线和所述信令塞的电势更高的电势被供应到所述功率馈给布线和所述功率馈给塞,并且其中在所述步骤(b)中从所述第一布局删除的所述功率馈给塞与所述信令塞接近到足以损害所述集成电路的操作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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