[发明专利]一种带空气间隙的深隔离槽的制造方法有效
| 申请号： | 200910201878.0 | 申请日： | 2009-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102082113A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带空气间隙的深隔离槽的制造方法，利用可显影BARC材料具有可溶解于显影液的特性，利用该种材料作为赝层，通过在深隔离槽中填充赝层形成空气间隙占位，接着利用某些材料可以在曝光后激活产生SiO2的性质，用该种材料封口(作为覆盖介质层)，然后通过光刻形成小孔，同时在显影中将赝层材料可显影的BARC去除形成空气间隙，然后紫外光照射激活使之生成SiO2，最后填充介质层再回刻或通过化学机械抛光去除有源区上的介质层，形成具有空气间隙的深隔离槽。该方法可以进一步减小寄生电容以提高深隔离槽的隔离表现，同时工艺控制能力更强，良品率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空气 间隙 隔离 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种带空气间隙的深隔离槽的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)光刻刻蚀硅基板形成深隔离槽；(2)在深隔离槽的侧壁成长侧壁保护层；(3)可显影BARC材料作为赝层填充部分深隔离槽；(4)覆盖介质层填充深隔离槽；(5)光刻在深隔离槽中心产生小孔；(6)显影去除被曝光的覆盖介质层材料，同时去除赝层材料；(7)紫外光照射激活覆盖介质层材料形成氧化物；(8)介质层填充覆盖介质层的小孔，在深隔离槽内形成空气间隙；(9)回刻或通过化学机械抛光去除有源区上的介质层。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
