[发明专利]磁轨、信息存储装置和操作该信息存储装置的方法无效
申请号: | 200910253967.X | 申请日: | 2009-12-11 |
公开(公告)号: | CN101751988A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 李成喆;申在光;徐顺爱;曹永真;皮雄焕;裴智莹 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/02 | 分类号: | G11C11/02;G11C11/16 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王青芝;韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种磁轨、信息存储装置和操作该信息存储装置的方法。所述磁轨包括具有不同长度和不同磁畴壁移动速度的第一磁畴区域和第二磁畴区域。第一磁畴区域和第二磁畴区域中较长的磁畴区域用作信息读/写区域。所述信息存储装置包括磁轨。所述磁轨包括多个磁畴区域和在相邻磁畴区域之间形成的磁畴壁区域。所述多个磁畴区域包括第一磁畴区域和至少一个第二磁畴区域,所述至少一个第二磁畴区域的长度小于第一磁畴区域的长度。所述信息存储装置还包括第一单元和磁畴壁移动单元,其中,所述第一单元被构造为在第一磁畴区域上执行信息记录操作和信息再现操作中的至少一个,所述磁畴壁移动单元被构造为移动磁畴壁区域的磁畴壁。 | ||
搜索关键词: | 磁轨 信息 存储 装置 操作 方法 | ||
【主权项】:
一种磁轨,包括:第一磁畴区域;至少一个第二磁畴区域,所述至少一个第二磁畴区域的长度与第一磁畴区域的长度不同;其中,第一磁畴区域中的磁畴壁移动速度与第二磁畴区域中的磁畴壁移动速度不同。
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