[发明专利]用于同时形成具有不同的导电性决定类型元素分布的掺杂区的方法无效
| 申请号： | 200980157560.5 | 申请日： | 2009-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102334179A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | R.Y-K.梁;N.鲁瑟福德;A.巴纳普 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L31/042 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;蒋骏 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用于同时形成具有不同的导电性决定类型元素分布的掺杂区的方法。在一个示例性实施例中，一种方法包括以下步骤：将第一导电性决定类型元素从第一掺杂剂扩散到半导体材料的第一区中，从而形成第一掺杂区。同时将第二导电性决定类型元素从第二掺杂剂扩散到所述半导体材料的第二区中，从而形成第二掺杂区。第一导电性决定类型元素与第二导电性决定类型元素属于相同的导电性决定类型。第一掺杂区具有不同于第二掺杂区的掺杂剂分布的掺杂剂分布。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 同时 形成 具有 不同 导电性 决定 类型 元素 分布 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：将第一导电性决定类型元素从第一掺杂剂扩散到半导体材料的第一区中，从而形成第一掺杂区；以及同时将第二导电性决定类型元素从第二掺杂剂扩散到所述半导体材料的第二区中，从而形成第二掺杂区，其中第一导电性决定类型元素与第二导电性决定类型元素属于相同的导电性决定类型；其中，第一掺杂区具有不同于第二掺杂区的掺杂剂分布的掺杂剂分布。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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