[发明专利]固态图像捕捉元件及其驱动、制造方法及电子信息设备有效
申请号: | 201010164306.2 | 申请日: | 2010-04-09 |
公开(公告)号: | CN101859787A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 小西武文 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李娜;李家麟 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及固态图像捕捉元件及其驱动、制造方法及电子信息设备。根据本发明的一种固态图像捕捉元件包括设置在从光电二极管区的上部到电荷检测部的表面部分中的:第二导电性类型第一区;第二导电性类型第二区;以及第二导电性类型第三区,其一端邻近于第二导电性类型第二区且其另一端邻近于电荷检测部,其中,以形成从第二导电性类型第一区穿过第二导电性类型第二区指向第二导电性类型第三区的电场的方式来设置第一、第二和第三区的每个杂质浓度。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像 捕捉 元件 及其 驱动 制造 方法 电子信息 设备 | ||
【主权项】:
一种固态图像捕捉元件,作为设置在半导体衬底中的单位像素部,包括:光电二极管区,其包括组成用于将光以光电方式转换成信号电荷以进行电荷积聚的光电转换和积聚部的第一导电性类型半导体区,以及用于将所述光电转换和积聚部与半导体衬底的表面分离的第二导电性类型半导体钉扎层;栅极电极,其一端邻近于第二导电性类型半导体钉扎层,其中,所述栅极电极的一端部与所述光电转换和积聚部的一端部重叠;以及作为邻近于转移栅极电极另一端的第一导电性类型漏极区的电荷检测部,所述固态图像捕捉元件进一步包括设置在从光电二极管区的上部到电荷检测部的表面部分中的:作为第二导电性类型半导体钉扎层的第二导电性类型第一区;第二导电性类型第二区,其一端邻近于第二导电性类型第一区且其被设置在光电转换和积聚部的重叠区域中;以及第二导电性类型第三区,其一端邻近于第二导电性类型第二区且其另一端邻近于电荷检测部,其中,以形成从第二导电性类型第一区穿过第二导电性类型第二区指向第二导电性类型第三区的电场的方式来设置第一、第二和第三区的每个杂质浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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