[发明专利]气体环境缓冲装置无效
申请号: | 201010171161.9 | 申请日: | 2010-05-06 |
公开(公告)号: | CN101958231A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 杨明生;王银果;刘惠森;范继良;王勇;王曼媛;张华 | 申请(专利权)人: | 东莞宏威数码机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 张艳美;郝传鑫 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种气体环境缓冲装置,设于两个不同气体环境设备之间以将基片从第一气体环境设备过渡到第二气体环境设备,包括控制装置、传感器、真空室、连接所述真空室与第一气体环境设备的第一闸阀、连接真空室与第二气体环境设备的第二闸阀、设于真空室内的传输机构及与真空室连通的抽气充气机构,该控制装置分别与第一闸阀、第二闸阀、传感器及抽气充气机构电连接,该控制装置控制第一闸阀打开并控制传输机构将基片送入真空室,传感器检测基片完全进入真空室内并通过控制装置控制第一闸阀关闭及传输机构停止传输所述基片,同时控制装置控制抽气充气机构对真空室依次进行抽气和充气,直到真空室的气压与第二气体环境设备内的压力相同后,控制装置控制第二闸阀打开并控制传输机构将所述基片送出真空室。 | ||
搜索关键词: | 气体 环境 缓冲 装置 | ||
【主权项】:
一种气体环境缓冲装置,设于两个不同气体环境设备之间以将基片从第一气体环境设备过渡到第二气体环境设备,其特征在于:包括控制装置、传感器、真空室、连接所述真空室与第一气体环境设备的第一闸阀、连接所述真空室与第二气体环境设备的第二闸阀、设于所述真空室内的传输机构及与所述真空室连通的抽气充气机构,所述控制装置分别与所述第一闸阀、第二闸阀、传感器及抽气充气机构电连接,所述控制装置控制所述第一闸阀打开并控制所述传输机构将所述基片送入所述真空室,所述传感器检测所述基片完全进入所述真空室内并通过所述控制装置控制所述第一闸阀关闭及所述传输机构停止传输所述基片,同时所述控制装置控制所述抽气充气机构对所述真空室依次进行抽气和充气,直到所述真空室的气压与所述第二气体环境设备内的压力相同后,所述控制装置控制所述第二闸阀打开并控制所述传输机构将所述基片送出所述真空室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造