[发明专利]硅酸钡钛晶体的制备方法有效
| 申请号： | 201010516240.9 | 申请日： | 2010-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101974778A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 潘世烈;赵文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/34 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅酸钡钛晶体的制备方法，该方法是将硅酸钡钛与助熔剂LiF和H3BO3或B2O3混合体系加热，恒温，冷却得到混合溶液，再将籽晶放入混合溶液中冷却，降温制成具有1-100mm×1-100mm×1-100mm的大尺寸的晶体。通过该方法获得的晶体属四方晶系，空间群为P4bm；化学式为Ba2TiSi2O8，晶胞参数为：a＝b＝8.518±0.002c＝5.211±0.002Z＝4，莫氏硬度为4-5。该方法具有制备速度快，操作简单，成本低，所得晶体尺寸大，机械性能好，不易碎裂，物化性质稳定，不潮解，易加工、保存等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸硅酸钡钛晶体的制备方法，其特征在于按下列步骤进行：a、将硅酸钡钛化合物与助熔剂LiF和H3BO3或B2O3混合体系按摩尔比1∶3‑6∶2‑4混合均匀，加热至600℃‑1200℃，恒温1‑100小时，再冷却至840‑920℃，得到含硅酸钡钛与助熔剂的混合溶液；或在制备硅酸钡钛化合物同时加入助熔剂LiF和H3BO3混合体系按比例混合均匀，加热至600℃‑1200℃，恒温1‑100小时，再冷却至840‑920℃，得到含硅酸钡钛与助熔剂的混合溶液；b、将装在籽晶杆上的籽晶放入步骤a中的混合溶液中，同时以0‑100转/分的旋转速率旋转籽晶杆，冷却到饱和温度，然后以0.1‑5℃/天的速率缓慢降温，得到所需的晶体，将晶体提离液面，以0.1‑100℃/小时的速率降至室温，即可得到大尺寸硅酸钡钛晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院新疆理化技术研究所，未经中国科学院新疆理化技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010516240.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 锗酸钛铷锂化合物、锗酸钛铷锂非线性光学晶体及其制备方法和应用-201810306653.0
- 李如康;夏明军 - 中国科学院理化技术研究所
- 2018-04-08 - 2019-10-22 - C30B9/12
- 本发明公开了一种锗酸钛铷锂化合物、锗酸钛铷锂非线性光学晶体及其制备方法和应用；所述锗酸钛铷锂化合物的化学式为Rb4Li2TiGe4O13；所述锗酸钛铷锂非线性光学晶体的化学式为Rb4Li2TiGe4O13；所述锗酸钛铷锂非线性光学晶体为非中心对称结构，属于四方晶系，空间群为P4nc；所述锗酸钛铷锂非线性光学晶体采用助溶剂法制备。本发明还公开了锗酸钛铷锂非线性光学晶体在激光非线性光学复合功能器件、电光晶体器件或激光器中的应用。本发明的锗酸钛铷锂非线性光学晶体具有较大的非线性光学效应、高的电光系数及宽的透过范围，机械性能好，不潮解，其倍频效应为KDP的3～5倍。
- 助溶剂法生长均匀近化学计量比钽酸锂晶体的方法-201910626550.7
- 肖学峰;张学锋;张欢;魏同利;马天鹏;雷玉玺;李维银;张莎 - 北方民族大学
- 2019-07-11 - 2019-09-17 - C30B9/12
- 一种助溶剂法生长均匀近化学计量比钽酸锂晶体的方法，包括如下步骤：按摩尔比Li2CO︰Ta2O5︰K2CO3为48.75︰51.25︰13的比例配成基料，然后将上述基料研磨混合成混合料，再加热混合料，以使CO2分解出来，然后再煅烧该混合料，得到钽酸锂多晶料，最后将钽酸锂多晶料压实，并装入坩埚中，加热至熔融状态，保温一定时间后，用提拉法制得近化学计量比钽酸锂晶体，本发明中采用Li2CO3、Ta2O5和助溶剂K2CO3摩尔比为48.75︰51.25︰13的比例，制备的LT晶体的头部和尾部的居里温度差出现突变，达到最低点，获得了上下均匀的近化学计量比L T晶体。
- 一种生长四硼酸铝盐晶体的方法-201710071990.1
- 林炎富;陈雨金;黄艺东;黄建华;龚兴红;罗遵度 - 中国科学院福建物质结构研究所
- 2017-02-09 - 2019-08-20 - C30B9/12
- 本发明涉及四硼酸铝盐晶体的生长方法。该方法采用新的NaF‑AlF3‑B2O3化合物体系作为助熔剂生长四硼酸铝盐晶体，可以减弱晶体生长过程中溶液某些成分的挥发，从而有效避免由于溶液某些成分的挥发所造成的晶体生长不稳定和晶体缺陷。采用本发明技术方案可生长获得大尺寸和高光学质量的四硼酸铝盐单晶，有利于提高利用该单晶制作的激光和非线性光学器件的性能。
- 一种织构氧化铝陶瓷用的模板籽晶的制备方法和应用-201710523918.8
- 常云飞;张敏敏;吴杰;孙媛;刘迎春;杨彬;曹文武 - 哈尔滨工业大学
- 2017-06-30 - 2019-07-02 - C30B9/12
- 一种织构氧化铝陶瓷用的模板籽晶的制备方法和应用，本发明涉及模板籽晶的制备方法和应用。本发明要解决现有片状氧化铝微晶制备工艺中存在生产设备要求高、生产周期长、工艺复杂、微晶分散性差、粒径尺寸分布宽、径厚比小、形貌调控难及生产成本高的问题。方法：将含铝原料与熔盐混合，然后加入生长助剂，球磨，得到混合原料；将混合原料置于有盖的氧化铝坩埚中，煅烧，得到反应产物；将反应产物用热水搅拌清洗并采用超声波进行分散，烘干。应用于制备晶粒小且取向度高的织构氧化铝陶瓷、金属/陶瓷/高聚物复合材料增韧剂、热传导型聚合物填料、研磨抛光粉及颜料基材领域。
- 硼酸锂双折射晶体的制备方法和用途-201510857033.2
- 潘世烈;陈幸龙;张方方 - 中国科学院新疆理化技术研究所
- 2015-11-28 - 2019-06-04 - C30B9/12
- 本发明涉及一种硼酸锂双折射晶体的制备方法和用途，该晶体化学式为Li3BO3，分子量79.63，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为a=3.2637(8)Å，b=9.180(2)Å，c=8.319(2)β=101.039(2)°,V=244.63(11)Å3，Z=4；该晶体用于红外‑深紫外波段，为负单轴晶体，透过范围为175‑3500nm；双折射在0.080(4500nm)‑0.140(175nm)之间，采用高温熔液法生长晶体；通过本发明所述方法获得的晶体易于生长、易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存，在空气中稳定，不易潮解，可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜，在光学和通讯领域有重要应用。
- 四硼酸六锂双折射晶体的制备方法和用途-201510857035.1
- 潘世烈;陈幸龙;张方方 - 中国科学院新疆理化技术研究所
- 2015-11-28 - 2019-04-16 - C30B9/12
- 本发明涉及一种四硼酸六锂双折射晶体的制备方法和用途，该晶体化学式为Li6B4O9，分子量228.88，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为a=3.329(6)Å，b=23.451(9)Å，c=9.197(3)β=92.587(5)°,V=710.68(4)Å3，Z=4；采用助溶剂法生长晶体，通过本发明所述方法获得的四硼酸六锂双折射晶体为负双轴晶体，透过范围180‑3450nm，在该波段范围内双折射率为0.087(3450nm)‑0.190(180nm)之间。该晶体可用于红外‑深紫外波段，为负双轴晶体，该晶体易于加工，不易潮解；可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜在光学和通讯领域有重要应用。
- 低温高速生长SiC单晶的助熔剂-201610705887.3
- 雷云;马文会;谢克强;吕国强;伍继君;魏奎先;秦博;李绍元;刘占伟;于洁;戴永年 - 昆明理工大学
- 2016-08-23 - 2019-04-12 - C30B9/12
- 本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助溶剂，属于晶体生长技术领域。本发明涉及的几种助溶剂为稀土金属镨（Pr）、铈（Ce）、镧（La）、镝（Dy）和铽（Tb），SiC单晶的生长方法为顶部籽晶溶液生长法。首先，将上述任意一种助溶剂与高纯硅（≥99.9999%）一起加热熔融，然后，将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处，旋转籽晶杆或者熔融容器进行SiC单晶的生长；晶体生长结束后将籽晶杆从熔体中移出；最后，用HNO3+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶。
- 一种减少BBO晶体中间包络的方法-201810673449.2
- 王昌运;陈伟;张星;陈秋华;谢发利 - 福建福晶科技股份有限公司
- 2018-06-27 - 2018-11-06 - C30B9/12
- 本发明公开了一种减少BBO晶体中间包络的方法，采用坩埚底部坩埚底部内嵌一个锥形的异形坩埚生长，有效减少BBO晶体中间包络问题。
- 氮化镓单晶生长装置-201810733556.X
- 孟静 - 孟静
- 2018-07-06 - 2018-10-26 - C30B9/12
- 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，涉及半导体材料的制备装置技术领域。所述装置主要利用氮等离子挥发回流方法在晶体生长界面形成过饱和熔体的方法来制备氮化镓晶体的方法及装置。利用氮等离子体挥发助熔镓‑钠‑氮熔体，镓和钠元素在高温下挥发并在冷凝器上冷却为镓‑钠熔体，镓‑钠熔体回流至回流系统中，在回流系统中不断放入氮化钠，氮化钠受热分解使得熔体处于氮饱和状态，饱和熔体回流至高温固液界面处形成过饱和熔体进行晶体生长。
- 一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法-201610842272.5
- 林哲帅;公丕富;罗思扬;吴以成;陈创天 - 中国科学院理化技术研究所
- 2016-09-22 - 2018-08-24 - C30B9/12
- 一种生长非线性光学晶体LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10的方法。本发明采用的溶剂为碱金属硝酸盐MNO3，其中所述M为Li、Na、K、Rb或Cs。本发明使用密闭容器抑制溶剂高温时的分解，并增强了高温溶剂对溶质的溶解；有效地降低了LiB3O5、CsB3O5和CsLiB6O10晶体的生长温度，使得其生长温度在500℃以下，较目前650℃以上的生长温度有了显著的降低，有效地节约了能源；反应采用密闭容器，优化后采用经济的耐腐蚀耐高温材料内衬，极大地减少晶体生长过程中的贵金属损耗；整个方法简单易操作，有利于推广。
- 一种Yb2Si2O7晶须及其制备方法-201610067204.6
- 曹丽云;雍翔;周磊;黄剑锋;李翠艳;欧阳海波;费杰;吴建鹏 - 陕西科技大学
- 2016-01-29 - 2018-06-26 - C30B9/12
- 本发明公开了一种Yb2Si2O7晶须及其制备方法，属于结构材料制备技术领域。包括以下步骤：1)取Yb(NO)3·5H2O，溶解于无水乙醇中，配制成浓度为配制成浓度为0.5～1mol/L的溶液A；2)将Si(OC2H5)4加入溶液A中，充分搅拌均匀，制得溶液B；3)将溶液B干燥后，得到粉体A，并将粉体A在200℃下预烧处理，冷却至室温，制得粉体B；4)将粉体B与混合复盐混合均匀后，在800～1000℃下热处理，制得粉体C；5)将粉体C加水溶解后，离心处理，将沉淀洗涤、干燥，制得Yb2Si2O7晶须。该方法操作简单，反应条件温和，过程可控性强；经该方法制得的Yb2Si2O7晶须形貌可控、纯度高、粒度均一。
- 一种微米级铜锗锌锡硫单晶颗粒的制备方法及其单晶颗粒和太阳能电池-201610168320.7
- 张军;廖峻;邵乐喜;王磊 - 岭南师范学院
- 2016-03-23 - 2018-06-19 - C30B9/12
- 本发明公开了一种微米级铜锗锌锡硫单晶颗粒的制备方法及其单晶颗粒和太阳能电池，首先按照设计的配方混合反应原料制备前驱体，将前驱体真空封装，一定温度下熔融生成CGZTS单晶颗粒；另外以环氧树脂、阿拉伯树胶为大分子材料，把微米级CGZTS单晶颗粒嵌入大分子材料中制备单晶颗粒薄膜，再制备各种功能层形成完整的电池。由于单晶颗粒的制备和单晶颗粒吸收层膜的制备过程是分开的，在单晶颗粒制备过程中可以使用高温环境，从而实现对CGZTS的组分进行有效的控制，而无需考虑吸收层制备条件对衬底，窗口层、缓冲层等的影响，该方法在材料与能源利用率和工业化生产方面具有明显的优势。 1
- 金红石晶体的生长方法-201310069994.8
- 叶宁;张犁园 - 中国科学院福建物质结构研究所
- 2013-03-06 - 2017-09-26 - C30B9/12
- 本发明涉及金红石晶体的生长方法。该方法使用了新的助熔剂BaCO3—B2O3体系，可以较大幅度地降低晶体的生长温度，可以稳定地生长出尺寸为厘米级、质量较好的金红石晶体。该工艺生长晶体的速度较快，成本低廉，对设备要求低，操作简单。
- 一种Al掺杂CsLiB6O10晶体生长助熔剂及晶体生长方法-201710238628.9
- 胡章贵;朱显超;涂衡 - 中国科学院理化技术研究所
- 2017-04-13 - 2017-08-18 - C30B9/12
- 本发明属于光学材料领域，提出一种Al掺杂CsLiB6O10晶体生长助熔剂，其特征在于，为Cs2O‑Li2O‑MoO3体系的助熔剂，体系中Cs2O，Li2O，MoO3的摩尔比为1(0.8～1.2)(1.6～2.0)。本发明还提出利用所述助熔剂的Al掺杂CsLiB6O10晶体生长方法。本发明提出的新助熔剂体系，可以有效降低晶体的生长温度，其温度范围在800～820℃之间，而且生长溶液澄清透明易于实时观察晶体生长状况。可明显减少体系的挥发度，提高生长体系的稳定性，防止漂晶形成，提高晶体生长成功率。显著地降低溶液的粘度，利于溶质传输，易于晶体生长并且几乎无包裹体产生。
- 一种YAB熔体搅拌装置-201720025754.1
- 王昌运;陈伟 - 福建福晶科技股份有限公司
- 2017-01-11 - 2017-08-01 - C30B9/12
- 本实用新型通过加工一个YAB熔体搅拌装置，充分将YAB熔体上下搅动，得到混匀熔体，生长高质量YAB晶体。
- 一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖-201621042412.2
- 李百中;李铮;施振华;刘有臣 - 中国科学院上海光学精密机械研究所
- 2016-09-08 - 2017-04-05 - C30B9/12
- 本实用新型公开了一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖，所述铂金坩埚盖包括盖沿、圆形的盖面和与盖面同心的圆孔。所述盖沿在盖面的边缘，竖直向下，长度范围为3mm～20mm；所述圆形盖面具有一定弧度，该圆形盖面与水平面的夹角范围为5°～45°，直径范围为60mm～200mm；所述圆孔与盖面同心，圆孔直径范围为15mm～30mm，所述圆孔周围有一定高度的外壁，外壁的高度范围为3mm～10mm；所述铂金坩埚盖厚度范围为0.3mm～2mm。本实用新型适用于助熔剂法晶体生长过程中的温度梯度调控，同时可有效减少保温材料及熔体内挥发物对熔体的污染，保证熔体的纯度。
- 一种减少BBO晶体包络的生长工艺-201610419668.9
- 王昌运 - 福建福晶科技股份有限公司
- 2016-06-14 - 2016-10-26 - C30B9/12
- 一种减少BBO晶体包络的生长工艺。本发明采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，自制熔盐炉和铂金坩埚为生长装置，铂金坩埚底部呈内凸圆弧形，进行低温相BBO晶体熔盐法生长，利用铂金坩埚底部呈内凸圆弧形，加强熔体对流，有效减少BBO晶体包络。
- 化合物铅钡硼氧和铅钡硼氧非线性光学晶体及制备方法和用途-201510798700.4
- 赵文武 - 唐山学院
- 2015-11-19 - 2016-02-17 - C30B9/12
- 本发明涉及一种化合物铅钡硼氧和铅钡硼氧非线性光学晶体及制备方法和用途，属于非线性光学晶体技术领域。技术方案是：化学式为Pb0.78Ba8.22B18O36，分子量2060.84，属六方晶系，空间群R32，晶胞参数为a=7.2225(2)Å，c=19.2716(10)Å，Z=1，V=870.61(6)Å3。其粉末倍频效应达到KDP的1/3倍，透光波段310nm-2600nm。本发明的积极效果是：采用固相反应法合成化合物及助溶剂法生长晶体，该晶体具有操作简单，成本低，所制晶体尺寸大，生长周期短，包裹体少，机械硬度较大，易于切割、抛光加工和保存，本发明所述的化合物铅钡硼氧非线性光学晶体在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。
- 一种YAB晶体生长助熔剂及YAB晶体生长方法-201210047053.X
- 胡章贵;岳银超;余雪松;毛倩;吴振雄 - 中国科学院理化技术研究所
- 2012-02-27 - 2013-09-11 - C30B9/12
- 本发明涉及一种YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法，本发明的YAB晶体生长助溶剂为Al2O3-硼化物-锂化物-金属氟化物混合体系；其中，Al2O3∶硼化物∶锂化物∶金属氟化物的摩尔比为(5～8)∶(2～4)∶(0.5～2)∶(0.5～1.5)；所述硼化物为B2O3或H3BO3；所述锂化物为Li2O或Li2CO3；所述金属氟化物包括一价金属氟化物和二价金属氟化物。通过本发明的YAB晶体生长助溶剂及YAB晶体生长方法可有效提高晶体生长过程中的晶体稳定性，获得大尺寸晶体。
- 大尺寸LBO晶体的助溶剂生长方法-201110382095.4
- 胡章贵;毛倩;岳银超 - 中国科学院理化技术研究所
- 2011-11-25 - 2013-06-05 - C30B9/12
- 本发明是一种大尺寸LBO晶体的助溶剂生长方法，采用Li2O-MoO3-MF2生长体系作为助溶剂，其中MF2为二价金属氟化物。通过本发明可以有效地降低晶体的生长温度，其温度范围在650～730℃之间；可以极大减少体系的挥发度，提高了晶体生长过程中体系的稳定性，防止杂晶形成，提高了晶体的生长速度；可以明显降低溶液的粘度，较低的粘度有利于溶质传输，易于晶体的生长并且提高了晶体的生长质量；可以稳定地生长一系列大尺寸、高光学质量的LBO单晶，重量达到了800克以上，尺寸达到10厘米以上，如果使用大尺寸坩埚，适当延长生长周期，还可以获得相应更大尺寸的单晶体。
- 一种采用新型助熔剂熔盐法生长KTiOAsO4晶体的方法-201310032669.4
- 王世武;贾延伟;王鸿雁 - 青岛海泰光电技术有限公司
- 2013-01-28 - 2013-05-08 - C30B9/12
- 本发明提出了一种采用新型助熔剂熔盐法生长KTiOAsO4晶体的方法，解决了现有熔盐法生长的KTiOAsO4晶体存在生长纹及多畴缺陷，包裹物多、晶体均匀性差的问题，其特点是包括以下步骤：KH2AsO4重结晶后去头去尾；将重结晶后的KH2AsO4与K2CO3、TiO2、氟化物加入铂坩埚，合成KTiOAsO4、K4As2O7、氟化物的均匀混合原料；顶部籽晶法生长KTiOAsO4晶体，其中：籽晶晶向为Z向<001>，籽晶杆转速20～60rpm，籽晶杆旋转方式为正转-停止-反转，晶体生长起始温度850～950℃，温度梯度0.2～2℃/cm，降温速率0.5～2℃/day，降温40～60℃。本发明实现了高质量KTiOAsO4晶体的重复性生长，提高了KTiOAsO4晶体的均匀性。
- 一种抑制BBO晶体径向过快生长的方法-201210516864.X
- 王昌运;郑熠;吴少凡;陈伟 - 福建福晶科技股份有限公司
- 2012-12-06 - 2013-03-13 - C30B9/12
- 一种抑制BBO晶体径向过快生长的方法，本发明的核心内容是采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠或氧化钠为助熔剂，自制熔盐提拉炉为生长装置，采用特殊设计的嵌套坩锅，是坩埚内熔体产生不同的温度分布，提高边缘熔体温度从而抑制BBO晶体径向的生长速度，实现BBO晶体等径提拉生长，采用本发明进行BBO晶体的熔盐提拉生长，解决了以往生长方法中存在的晶体径向过快生长容易碰到坩锅壁扭断的问题，该方法具有结构简单，方便实用的特点。
- 一种厘米级纯相BiFeO3单晶的制备方法-201110252660.5
- 陆俊;吴以成;傅佩珍;冯凯 - 中国科学院理化技术研究所
- 2011-08-30 - 2013-03-06 - C30B9/12
- 一种厘米级纯相BiFeO3单晶的制备方法：a)将Fe2O3与Bi2O3两种原料混匀后放入晶体生长炉中；b)晶体生长炉升温至825℃以上并保温；c)缓慢降温，至熔体表面出现晶核时再缓慢升温，至晶核减少至一个时再缓慢降温，至晶核数目增多时再缓慢升温，当晶核数目再次减少至一个时再缓慢降温维持BFO单晶的稳定生长，直至其生长停止；d)晶体生长完全且凝固后将晶体生长炉冷却至室温；e)取出晶体清洗后即得到纯相BiFeO3单晶。本发明使用高温溶液震荡选晶法控制其形核及生长过程，经过多轮升降温，促使尺寸较小的晶核熔化而保留尺寸较大的晶核以最终获得BiFeO3单晶。
- 一种熔盐法晶体生长用密闭单晶生长炉-201110195895.5
- 刘丽娟;王晓洋;刘春雷;陈创天 - 中国科学院理化技术研究所
- 2011-07-13 - 2013-01-16 - C30B9/12
- 熔盐法晶体生长用密闭单晶生长炉包括：绕有电阻丝的陶瓷套管式炉膛；位于炉膛外的密闭桶形空心双层不锈钢外炉壳；装于炉壳内与炉膛间的耐火保温砖/棉；穿过炉壳伸至炉膛外壁的热电偶；盖于炉膛上端口的耐火保温砖炉盖；炉盖中心和两侧设第一垂向中心通孔和观察孔；炉壳内装循环流动的冷却水；炉壳壁上设抽气和进气口；炉壳盖中心设与第一垂向中心通孔相对的第二垂向中心通孔和石英玻璃窗口；炉壳内充氛围气；磁流体设于炉壳上方，与炉壳用波纹管连接；籽晶杆穿过磁流体与万向结连接，通过万向结固定在晶转头上；可使晶体在气氛气下生长，减少杂质进入晶体，改善晶体光学性质，去除晶体在紫外光谱区产生的非本征吸收，提高晶体紫外激光输出功率。
- 一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法-201110323505.8
- 王昌运;陈伟;吴少凡 - 福建福晶科技股份有限公司
- 2011-10-23 - 2012-03-21 - C30B9/12
- 一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法，采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠为助熔剂，采用旋转式熔盐生长炉，所述旋转式熔盐生长炉的炉丝非均匀分布，通过旋转加热得到不对称温场，加强熔体对流，解决BBO晶体中心包络问题。
- 一种氯硼酸锶晶须的制备方法-201110218533.3
- 钱桂敏;云山;宋茜茜;李武;乃学瑛;高丹丹 - 中国科学院青海盐湖研究所
- 2011-07-27 - 2011-12-28 - C30B9/12
- 本发明涉及一种氯硼酸锶晶须的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将含锶原料、含硼原料、助熔剂混合均匀后研磨至粒度小于60目，得到混合原料；(2)将所述混合原料置于高温炉中，以5～10℃/min的升温速率升温至650～800℃，保温6～15小时后，自然冷却，得到烧结产物；(3)将所述烧结产物放入去离子水中，浸泡2～15小时后，经过滤、洗涤，得到白色的粗产品固体粉末；(4)将所述粗产品固体粉末烘干至恒重，即得到白色氯硼酸锶晶须产品。本发明工艺简单、低成本，所得氯硼酸锶晶须产品微观形貌较好、产品纯度高、收率高。
- 一种氯硼酸钡晶须的制备方法-201110251623.2
- 李武;朱东海;乃学瑛;卢会刚;刘鑫;宋爽洁;朱成财 - 中国科学院青海盐湖研究所
- 2011-08-24 - 2011-12-28 - C30B9/12
- 本发明涉及一种氯硼酸钡晶须的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将含钡化合物、含硼化合物和助熔剂混合均匀后研磨至粒度小于60目，得到混合物；(2)将所述混合物置于高温炉中，以5～10℃/min的升温速率升温至690～750℃下，恒温加热4～15h后，自然冷却至室温，得到烧结物；(3)将所述烧结物放入去离子水中，浸泡2～6小时后，依次经过滤、洗涤、干燥后，即得白色粉末状氯硼酸钡晶须。本发明工艺简单、成本低，所得氯硼酸钡晶须产品纯度高、晶体结构完整。
- BaAlBO3F2非线性光学晶体及生长方法和用途-200910092080.7
- 胡章贵;岳银超;王佳诺 - 中国科学院理化技术研究所
- 2009-09-14 - 2011-04-20 - C30B9/12
- 本发明的氟硼酸钡铝非线性光学晶体，其化学式为BaAlBO3F2，属六方晶系，空间群为
晶胞参数为
β＝120°，z＝2；其生长方法为：将所需的各种化合物按摩尔比混合，充分研磨，放入马弗炉中加热熔化，然后直接取出放在室温下冷却，制得氟硼酸钡铝化合物；把此化合物放入晶体生长炉中，升温熔化；采用顶部籽晶法，将籽晶接触液面，在饱和温度点缓慢降温进行晶体生长，待晶体长到所需尺寸时，将晶体提离液面，以不大于10℃的降温速率降温至室温，得到本发明的氟硼酸钡铝非线性光学晶体；该晶体物化性质稳定，不潮解，硬度大，加工性能好，三倍频转化效率高，可用其制作非线性光学器件。
- 一种R2CaB10O19单晶的定向籽晶生长方法-200910092081.1
- 张建秀;傅佩珍;吴以成;吴洋;祖延雷 - 中国科学院理化技术研究所
- 2009-09-14 - 2011-04-20 - C30B9/12
- 本发明涉及一种R2CaB10O19的籽晶定向生长方法，特点在于所引入的籽晶为长条状籽晶，该长条状籽晶的切割方向在+b轴与(a+b)轴之间，且与(a+b)轴成3～6°夹角；本发明的定向生长方法限制了a、b方向的生长速度，克服了R2CaB10O19晶体生长过程中因籽晶两端质量失衡而脱坠，(001)面难以长厚以及(111)面族不易尖灭等不足，本发明的R2CaB10O19晶体的籽晶定向生长方法，提高了R2CaB10O19晶体生长过程中的稳定性，易于获得利用率高，较大尺寸、高光学质量的晶体，可以满足器件加工要求。
- 硅酸钡钛晶体的制备方法-201010516240.9
- 潘世烈;赵文武 - 中国科学院新疆理化技术研究所
- 2010-10-22 - 2011-02-16 - C30B9/12
- 本发明涉及一种硅酸钡钛晶体的制备方法，该方法是将硅酸钡钛与助熔剂LiF和H3BO3或B2O3混合体系加热，恒温，冷却得到混合溶液，再将籽晶放入混合溶液中冷却，降温制成具有1-100mm×1-100mm×1-100mm的大尺寸的晶体。通过该方法获得的晶体属四方晶系，空间群为P4bm；化学式为Ba2TiSi2O8，晶胞参数为：a＝b＝8.518±0.002c＝5.211±0.002Z＝4，莫氏硬度为4-5。该方法具有制备速度快，操作简单，成本低，所得晶体尺寸大，机械性能好，不易碎裂，物化性质稳定，不潮解，易加工、保存等优点。
- 专利分类
