[发明专利]MTW型沸石的制造方法有效
| 申请号： | 201080052299.5 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102612492A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 板桥庆治;大久保达也;伊舆木健太 | 申请（专利权）人： | 日本化学工业株式会社;国立大学法人东京大学 |
| 主分类号： | C01B39/42 | 分类号： | C01B39/42 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的MTW型沸石的制造方法，特征在于：混合二氧化硅源、氧化铝源、碱源、锂源和水，使其成为以特定摩尔比表示的组成的反应混合物，（2）将SiO2/Al2O3比为10～500的不含有机化合物的MTW型沸石作为晶种使用，相对于上述反应混合物中的二氧化硅成分，以0.1～20重量%的比例在该反应混合物中添加上述晶种，（3）以100～200℃密闭加热添加有上述晶种的上述反应混合物。 | ||
| 搜索关键词： | mtw 型沸石 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MTW型沸石的制造方法，其特征在于：（1）混合二氧化硅源、氧化铝源、锂源和水，使其成为以如下所示的摩尔比表示的组成的反应混合物，SiO2/Al2O3=12～200Na2O/SiO2=0.1～0.3Li2O/（Na2O+Li2O）=0.05～0.5H2O/SiO2=10～50（2）将SiO2/Al2O3比为10～500的不含有机化合物的MTW型沸石作为晶种使用，相对于所述反应混合物中的二氧化硅成分，以0.1～20重量%的比例在该反应混合物中添加所述晶种，（3）以100～200℃密闭加热添加有所述晶种的所述反应混合物。
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