[发明专利]半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件。在半导体衬底的主面上将由具有浮置栅电极FG的存储晶体管和与所述存储晶体管串联的控制晶体管构成的多个存储单元呈阵列状排列在X方向和Y方向上。将按X方向排列的存储单元中的存储晶体管的漏极区域彼此连接的位布线M1B设在形成于半导体衬底上的多层布线构造中最下层的布线层上，以使所述位布线M1B覆盖整个浮置栅电极FG。由此，可提高具有非易失性存储器的半导体器件的性能，或提高半导体器件的可靠性。或者，在提高半导体器件的性能的同时，又可提高半导体器件的可靠性。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；多个非易失性存储单元，所述多个非易失性存储单元在所述半导体衬底的主面上、在第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上呈阵列状地排列；以及多个布线层，形成在所述半导体衬底的主面上，其特征在于，所述多个非易失性存储单元中的每一个非易失性存储单元都具有存储晶体管和与所述存储晶体管串联连接的控制晶体管，其中，所述存储晶体管具有浮置栅电极；在所述多个布线层中的最下层的布线层中以在所述第一方向上延伸的方式形成有位布线，其中，所述位布线将在所述第一方向上排列的所述非易失性存储单元中的所述存储晶体管的漏极区域彼此连接；所述位布线的宽度比所述浮置栅电极在所述第二方向上的尺寸大。