[发明专利]三轴磁场传感器有效
| 申请号： | 201110251902.9 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102426344A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 雷啸锋;张小军;黎伟;王建国;薛松生 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06;G01R33/09 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李艳 |
| 地址： | 215600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三轴磁场传感器，它包括一基片，该基片上集成设置有双轴磁场传感器、敏感方向为Z轴的Z轴磁场传感器和ASIC元件，双轴磁场传感器包括X轴桥式磁场传感器、Y轴桥式磁场传感器，双轴磁场传感器和Z轴磁场传感器连接设置在ASIC元件上。一种单一芯片三轴磁场传感器，它包括一基片，该基片上集成设置有三轴磁场传感器和ASIC元件，三轴磁场传感器包括X轴的X轴桥式磁场传感器、Y轴桥式磁场传感器和Z轴磁场传感器，本发明采用以上结构，集成度高，灵敏度更高，功耗更低，线性更好，动态范围更宽，温度特性更好，抗干扰能力更强。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种三轴磁场传感器，其特征在于：它包括一基片，该基片上集成设置有双轴磁场传感器、敏感方向为Z轴的Z轴磁场传感器和ASIC元件，所述双轴磁场传感器包括敏感方向为X轴的X轴桥式磁场传感器、敏感方向为Y轴的Y轴桥式磁场传感器，所述双轴磁场传感器和Z轴磁场传感器连接设置在ASIC元件上，其中X轴、Y轴和Z轴两两相交。
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