[发明专利]制备n-型Ⅲ族氮化物单晶的方法、所述单晶、和晶体基板有效
| 申请号： | 201110254068.9 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102383181A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 岩田浩和 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | C30B9/00 | 分类号： | C30B9/00;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及制备n-型III族氮化物单晶的方法、所述单晶、和晶体基板。制备n-型III族氮化物单晶的方法包括将至少包括包含III族元素的物质、碱金属、和氧化硼的原料放入反应容器中；通过将反应容器加热到氧化硼的熔点使氧化硼熔融；通过将反应容器加热到III族氮化物的晶体生长温度在反应容器中形成包括所述III族元素、所述碱金属、和所述氧化硼的混合熔体；通过使含氮气体与所述混合熔体接触将氮溶解到所述混合熔体中；和由溶解在混合熔体中的III族元素、氮、和氧化硼中的氧生长以氧作为给体掺杂的n-型III族氮化物单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氮化物 方法 述单晶 晶体 | ||
【主权项】：
制备n‑型III族氮化物单晶的方法，包括：将至少包括包含III族元素的物质、碱金属、和氧化硼的原料放入反应容器中；通过将所述反应容器加热到氧化硼的熔点使氧化硼熔融；通过将所述反应容器加热到III族氮化物的晶体生长温度在所述反应容器中形成包含所述III族元素、所述碱金属、和所述氧化硼的混合熔体；通过使含氮气体与所述混合熔体接触将氮溶解到所述混合熔体中；和由溶解在所述混合熔体中的III族元素、氮、和氧化硼中的氧生长以氧作为给体掺杂的n‑型III族氮化物单晶。
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