[发明专利]防尘薄膜组件框架以及防尘薄膜组件无效
申请号: | 201110334871.3 | 申请日: | 2011-10-28 |
公开(公告)号: | CN102455589A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 关原一敏 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/64 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种防尘薄膜组件框架,包括(1)由碳纤维和树脂构成的内部复合体;(2)由树脂构成的包覆体。所述内部复合材料包括碳纤维的层积体以及树脂,所述层积体为被所述树脂浸渍。所述的包覆体完全包覆所述的内部复合体,没有碳纤维从包覆层露出。 | ||
搜索关键词: | 防尘 薄膜 组件 框架 以及 | ||
【主权项】:
一种防尘薄膜组件框架,包括:(1)由碳纤维和树脂构成的内部复合体;(2)由树脂构成的包覆体,所述的包覆体完全包覆所述的内部复合体。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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