[发明专利]硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法有效
| 申请号： | 201110375564.X | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102403248A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 赵丽霞 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法，包括下述步骤：（1）设定表面颗粒测试仪的颗粒直径测试区间；（2）将待测试的抛光片或外延片放在测试台上，开始依次测试，并记录下每个区间的颗粒数据；（3）将颗粒数据进行分档，然后从颗粒多的档位开始分别对每个档位的最高值抽取一片腐蚀看缺陷，直至腐蚀到没有见缺陷的档位，记录这个档位数值为A；（4）抽测2-3片A档位的抛光片或外延片，确认未见层错及位错缺陷；（5）把A减10设定为分检层错及位错缺陷的标准；（6）检验其它的抛光片或外延片，高于标准的标为层错及位错缺陷不合格。此方法具有操作简单快速、对被测样本无损伤等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 外延 片层错 缺陷 无损 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法，其特征在于包括下述步骤：（1）设定表面颗粒测试仪的颗粒直径测试区间；（2）将待测试的抛光片或外延片放在测试台上，开始依次测试，并记录下每个区间的颗粒数据；（3）将颗粒数据进行分档，然后从颗粒多的档位开始分别对每档位的最高值抽取一片腐蚀看缺陷，直至腐蚀到没有见缺陷的档，记录这个档位最高值为A；（4）抽测2‑3片A档位的抛光片或外延片，确认未见层错及位错缺陷；（5）把A减10设定为分检层错及位错缺陷的标准；（6）检验其它的抛光片或外延片，高于标准的抛光片或外延片标为层错及位错缺陷不合格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
