[发明专利]作为POP-mWLP的多功能传感器有效
申请号: | 201180045209.4 | 申请日: | 2011-07-29 |
公开(公告)号: | CN103098201A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | U.肖尔茨;R.赖亨巴赫 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/065;H01L25/10;H01L25/16;H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 丁永凡;李浩 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制造包括至少一个微结构化或纳米结构化的器件的部件的方法。在根据发明的方法的范围内,将至少一个微结构化或纳米结构化的器件(1)利用至少一个被设置用于接触的区域(2)施加到支承体(3)上使得:所述器件(1)的至少一个被设置用于接触的区域(2)与支承体邻接。随后,用包覆材料(4)包覆器件(1)并且将器件-包覆材料复合结构(5)与所述支承体(3)分开。随后,将包括导电区域的第一层(6)施加到所述器件-包覆材料复合结构(5)的以前与所述支承体(3)邻接的侧上。之前、随后或同时,将至少一个穿通孔(7)通过包覆材料(4)引入。之后,将导体层施加到穿通孔(7)的表面并且至少施加到包括导电区域的第一层(6)的区段上,使得导体层(8)电接触被设置用于接触的区域(2)以便生成穿通接触部(7),其能够实现节约位置的接触。此外,本发明还涉及这种部件。 | ||
搜索关键词: | 作为 pop mwlp 多功能 传感器 | ||
【主权项】:
一种用于制造部件(A)的方法,所述部件包括至少一个微结构化或纳米结构化的器件(1),该方法包括如下步骤:a)利用至少一个被设置用于接触的区域(2)将至少一个微结构化或纳米结构化的器件(1)施加到支承体(3)上,其中所述器件(1)被施加到所述支承体(3)上使得:所述器件(1)的至少一个被设置用于接触的区域(2)与所述支承体()邻接;b)用包覆材料(4)包覆器件(1);c)将器件‑包覆材料复合结构(5)与所述支承体(3)分开;d)将包括导电区域的第一层(6)施加到所述器件‑包覆材料复合结构的以前与所述支承体(3)邻接的侧上;e)将至少一个穿通孔(7)通过包覆材料(4)引入;以及f)将导体层(8)施加到穿通孔(7)的表面并且至少施加到包括导电区域的第一层(6)的区段上,使得导体层(8)电接触被设置用于接触的区域(2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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