[发明专利]光电转换元件以及具备该元件的太阳电池无效
申请号: | 201180059140.0 | 申请日: | 2011-12-08 |
公开(公告)号: | CN103262253A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 河野哲夫;加贺洋史 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 日本东京港区*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种包括可大致一样地被覆基底层的缓冲层且光电转换效率的面内均一性高的光电转换元件。本发明的光电转换元件是在基板(10)上依序积层着下部电极层(20)、光电转换半导体层(30)、缓冲(40)层、及透光性导电层(50)的光电转换元件(1),该光电转换半导体层(30)以包含Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素的至少1种黄铜矿结构的化合物半导体作为主成分,且上述光电转换元件(1)于缓冲层(40)的上述透光性导电层(50)侧的表面(40s)包含羰离子(C),缓冲层(40)为包含三元化合物的平均膜厚10nm以上70nm以下的薄膜层,该三元化合物包含不含镉的金属、氧、以及硫。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 以及 具备 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种光电转换元件,在基板上依序层积有下部电极层、光电转换半导体层、缓冲层、及透光性导电层,所述光电转换半导体层以包含Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素的至少1种黄铜矿结构的化合物半导体作为主成分,所述光电转换元件的特征在于:在所述缓冲层的所述透光性导电层侧的表面备有羰离子;且所述缓冲层为平均膜厚10nm以上70nm以下包含三元化合物的薄膜层,所述三元化合物包含不含镉的金属、氧、以及硫。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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