[发明专利]高压元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210105525.2 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103378145A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;邱建维 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高压元件及其制造方法，高压元件形成于第一导电型基板中，且另有一低压元件亦形成于同一基板中。该高压元件包含漂移区、栅极、源极与漏极、以及缓和区。其中，缓和区具有第二导电型，形成于漂移区中，且缓和区介于栅极与漏极之间。此外，缓和区与低压元件中的轻掺杂漏极(lightly doped drain region，LDD)区，利用相同制程步骤所形成。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压元件，形成于一第一导电型基板中，且另有一低压元件形成于该基板中，该基板具有一上表面，其特征在于，该高压元件包含：一漂移区，形成于该上表面下方，其具有第二导电型；一栅极，形成于该上表面上方，且至少部分该漂移区位于该栅极下方；一源极与一漏极，皆具有第二导电型，分别形成于栅极两侧的上表面下方，且该漏极位于该漂移区中，而该漏极与该栅极间，由该漂移区隔开；以及一缓和区，具有第二导电型，形成于该上表面下方的该漂移区中，且该缓和区介于该栅极与该漏极之间，且该缓和区与该低压元件中的一轻掺杂漏极区，利用相同制程步骤所形成。
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