[发明专利]一种低温多晶硅薄膜制造方法有效
申请号: | 201210223164.1 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102732941A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 林立;邱勇;黄秀颀;施露;张洁 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | C30B1/02 | 分类号: | C30B1/02;C30B28/02 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 张建纲 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种低温多晶硅薄膜制造方法,在固相晶化环境温度保持550-700摄氏度的基础上增加一个或多个光子能量范围在2.5-5.0eV之间的光源。本发明在相对低的温度下,提高多晶硅薄膜的结晶率,减少缺陷态密度,用以制造低温多晶硅薄膜。本发明的多晶硅薄膜有较高的结晶率,以此生产的薄膜晶体管背板具有足够驱动AMOLED的迁移率和较高的均一性,生产高质量AMOLED面板的半导体薄膜材料得到保证。 | ||
搜索关键词: | 一种 低温 多晶 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种低温多晶硅薄膜制造方法,其固相晶化的过程如下:第一步:局部多晶硅在热涨落的作用下形成直径大于临界尺度的晶核;第二步:所述晶核生长形成晶粒;第三步:相邻所述晶粒边界生闭合完成非晶硅向多晶硅转变,所述多晶硅内部缺陷态逐步修复,形成多晶硅薄膜;其特征在于:在上述一个或多个步骤中,在固相晶化环境温度保持550‑700摄氏度时,增加一个或多个光子能量在2.5‑5.0eV之间的光源。
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