[发明专利]非对称三维结构微电容及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210294094.9 申请日: 2012-08-18
公开(公告)号: CN102800493A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 朱平;曾志强;熊继军;霍晓涛;沈晓兵;蔡婷 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: H01G9/155 分类号: H01G9/155;H01G9/058
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 朱源
地址: 030051 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明涉及电容器及其制造技术,具体是一种非对称三维结构微电容及其制造方法。本发明解决了现有混合型超级电容器储能密度有限、容量低、抗过载能力弱、以及体积大的问题。非对称三维结构微电容包括阳极、阴极、以及玻璃基底;所述阳极包括阳极集流体、以及聚吡咯/氧化石墨烯二元复合功能薄膜;所述阳极集流体包括键合于玻璃基底上表面的阳极三维硅微结构、以及溅射于阳极三维硅微结构表面的阳极镍层;所述阴极包括阴极集流体、以及聚吡咯功能薄膜;所述阴极集流体包括键合于玻璃基底上表面的阴极三维硅微结构、以及溅射于阴极三维硅微结构表面的阴极镍层;阳极和阴极非对称设于玻璃基底上表面。本发明适用于节点电源、驱动电源等领域。
搜索关键词: 对称 三维 结构 电容 及其 制造 方法
【主权项】:
一种非对称三维结构微电容,其特征在于:包括阳极(1)、阴极(2)、以及玻璃基底(3);所述阳极(1)包括阳极集流体、以及聚吡咯/氧化石墨烯二元复合功能薄膜(6);所述阳极集流体包括键合于玻璃基底(3)上表面的阳极三维硅微结构(4)、以及溅射于阳极三维硅微结构(4)表面的阳极镍层(5);聚吡咯/氧化石墨烯二元复合功能薄膜(6)沉积于阳极镍层(5)表面;所述阴极(2)包括阴极集流体、以及聚吡咯功能薄膜(9);所述阴极集流体包括键合于玻璃基底(3)上表面的阴极三维硅微结构(7)、以及溅射于阴极三维硅微结构(7)表面的阴极镍层(8);聚吡咯功能薄膜(9)沉积于阴极镍层(8)表面;玻璃基底(3)上表面覆盖有凝胶电解质层(10);凝胶电解质层(10)上表面覆盖有BCB介质膜;阳极(1)和阴极(2)非对称设于玻璃基底(3)上表面,且阳极(1)和阴极(2)均内嵌于凝胶电解质层(10)中。
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